类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：3A（@25℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：12A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.2Ω（@VGS=10V）；2.8Ω（@VGS=5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V～4.0V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：120pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　最大功耗（PD）：50W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220/TO-252

3NM80具备优异的开关特性和导通性能，其核心优势在于低导通电阻与高电压耐受能力的结合。在VGS=10V时，RDS(on)典型值仅为2.2Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率，特别适用于需要长时间导通的大电流场景。该器件采用沟槽栅结构设计，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流密度，同时有效抑制了短沟道效应，保证了高温下的稳定性。其800V的漏源击穿电压使其能够胜任高压开关电源中的主开关管角色，如反激式变换器（Flyback Converter）和有源钳位电路，在雷击浪涌和线路瞬变环境下仍能保持可靠运行。
　　3NM80还具备良好的热稳定性和散热能力。TO-220或TO-252封装形式支持通过散热片进行有效热传导，最大功耗可达50W（在理想散热条件下），结温范围覆盖-55℃至+150℃，满足工业级和部分车载应用的需求。器件内部寄生参数经过优化，输入电容和输出电容较低，有助于减少驱动电路的功耗并提升高频开关性能。此外，其较快的反向恢复时间（trr=35ns）意味着体二极管在感性负载关断时能迅速截止，降低反向恢复电荷带来的开关损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该MOSFET还具备较强的抗雪崩能力，能够在非重复性雪崩事件中承受一定的能量冲击，从而提高系统在异常工况下的生存率。其栅极氧化层设计可承受±30V的栅源电压，提供了足够的驱动裕度，防止因驱动信号过冲导致的栅极击穿。综合来看，3NM80在高压、中等电流的开关应用中表现出色，兼具高可靠性、高效率和良好的成本效益，是许多中小功率电源设计中的优选器件。

3NM80广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，尤其适合作为主开关管用于离线式反激变换器（Off-line Flyback Converter），这类电源常见于电视机、显示器、充电器和适配器等消费类电子产品中。其800V的耐压能力可以很好地应对整流后的市电峰值电压，并留有足够的安全裕量，确保在电网波动或瞬态过压情况下仍能稳定工作。此外，在DC-DC升压或降压转换器中，3NM80可用于PWM调制开关节点，实现高效的能量传输与电压调节，适用于工业控制电源模块和LED驱动电源。
　　在电机驱动领域，3NM80可用于小功率直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为低端开关，或在单管驱动电路中控制电机启停。其快速开关响应和低导通电阻有助于减少发热，提升驱动效率。同时，该器件也常用于各类电子负载开关、继电器替代电路和热插拔电源管理模块中，实现对负载的软启动和过流保护功能。
　　在照明系统中，3NM80可用于LED恒流驱动电路中的开关元件，特别是在隔离式反激拓扑中作为初级侧开关，配合光耦反馈实现精确的输出电流控制。此外，它还可用于逆变器、UPS不间断电源和太阳能微逆系统中的功率切换环节，承担能量传递与通断控制任务。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，也适用于部分车载辅助电源系统和工业自动化设备中的电源管理单元。

FQP8N80C
　　STP3NK80ZFP
　　KSP8N80