类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500 V
　　最大漏极电流（Id）：30 A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.065 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　最大功耗（Ptot）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　输入电容（Ciss）：典型值 4000 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 500 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管或极弱）
　　封装形式：TO-247

IRF243具备多项关键特性，使其在高功率射频与开关电源应用中表现出色。首先，其高击穿电压能力达到500V，允许器件在高压环境下安全运行，适用于多种工业级电源系统。其次，该MOSFET拥有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值仅为0.065Ω，在大电流条件下可显著降低导通损耗，提高系统能效。这一特性对于需要持续高功率输出的应用尤为重要，如感应加热和射频放大器。此外，IRF243采用了优化的沟道设计，有效减少了栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），从而加快了开关速度，减小了开关过程中的能量损耗，有助于提升整个系统的转换效率。
　　另一个显著特点是其出色的热稳定性与宽泛的工作温度范围。器件可在-55°C至+175°C的结温范围内正常工作，适应极端环境下的应用需求，例如高温工业设备或户外通信基站。TO-247封装不仅提供了良好的机械强度，还具备优异的散热能力，能够将内部产生的热量迅速传导至散热器，避免局部过热引发失效。此外，该器件对雪崩能量具有一定的承受能力，意味着在遭遇电压尖峰或负载突变时，仍能保持一定级别的鲁棒性，延长使用寿命。
　　在射频应用方面，IRF243表现出良好的高频响应特性，输入电容和输出电容经过优化，减少了高频信号传输过程中的失真和相位延迟。这使得它非常适合用作射频功率放大器的最后一级驱动元件，尤其是在AM/FM广播发射机和工业加热系统中。同时，其栅极驱动要求相对标准，兼容常见的驱动IC和控制电路，便于系统集成。最后，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品设计。综合来看，IRF243以其高耐压、低损耗、强散热和良好高频性能，成为高功率模拟与数字系统中的理想选择。

IRF243主要应用于需要高功率、高频率和高可靠性的电子系统中。最常见的用途之一是射频功率放大器，特别是在AM、FM和HF频段的广播发射机中，作为末级功率输出器件，提供强大的射频信号增益。此外，在工业感应加热系统中，IRF243用于构建谐振逆变器电路，将直流电高效转换为高频交流电，以实现金属材料的非接触式加热，广泛应用于金属热处理、焊接和熔炼等领域。
　　在医疗设备方面，该器件可用于射频消融仪、磁共振成像（MRI）系统中的射频发生模块，以及等离子体手术设备中，提供精确可控的高频能量输出。同时，在科研与工业领域的等离子体生成系统（如PECVD、刻蚀设备）中，IRF243也发挥着重要作用，用于产生和维持稳定的等离子体状态。
　　除此之外，IRF243还可用于高功率DC-AC逆变器、UPS不间断电源、太阳能逆变器以及高频开关电源（SMPS）中，尤其是在需要工作在数十kHz到数MHz频率范围内的拓扑结构中表现优异。其坚固的结构和高耐压特性也使其适用于某些特殊电源系统，如雷达脉冲调制器、激光驱动电源和粒子加速器电源模块。总之，凡是涉及高电压、大电流与高频切换的场景，IRF243都能提供稳定可靠的性能支持。

SPW243
　　IRF244
　　IXFH30N50P