时间：2025/12/27 8:07:26
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3N90L-TQ2-R是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装N沟道MOSFET晶体管，采用小型SOT-457封装（也称为TSSOP-6或SC-88A），适用于低电压、低功率开关应用。该器件设计用于在便携式电子设备中实现高效的电源管理和信号切换功能。3N90L-TQ2-R具有低导通电阻（RDS(on)）、快速开关速度和良好的热稳定性，使其非常适合用于电池供电设备、手持设备和消费类电子产品中的负载开关、LED驱动、电机控制以及其他需要小型化和高效率的场合。该MOSFET的栅极阈值电压较低，能够兼容3.3V或更低逻辑电平直接驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化系统设计并降低整体功耗。此外，该器件符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子制造流程。其“-TQ2-R”后缀表示产品为卷带包装（tape and reel），适合自动化贴片生产线使用，提升了大规模生产的效率和一致性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
连续漏极电流（ID）@25°C：100mA
脉冲漏极电流（IDM）：400mA
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：6.5Ω
导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：8.5Ω
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
输入电容（Ciss）：22pF @ VDS=10V
输出电容（Coss）：10pF @ VDS=10V
反向传输电容（Crss）：2.5pF @ VDS=10V
开启延迟时间（td(on)）：8ns
关断延迟时间（td(off)）：15ns
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装/外壳：SOT-457（SC-88A）
功率耗散（Pd）：350mW
3N90L-TQ2-R具备优异的电气性能和可靠性，其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V条件下最大仅为6.5Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效表现。尤其是在便携式设备中，这种低RDS(on)特性有助于延长电池续航时间。同时，在VGS=4.5V时仍能保持8.5Ω以下的导通电阻，说明该器件可在中等栅极驱动电压下稳定工作，适用于由3.3V微控制器直接驱动的应用场景，无需外加驱动电路，节省了PCB空间与成本。
该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，确保在低电压控制系统中也能可靠开启，增强了与现代低电压逻辑IC的兼容性。其输入、输出及反向传输电容均处于较低水平（Ciss=22pF, Coss=10pF, Crss=2.5pF），这意味着器件具有较快的开关响应速度和较小的驱动功率需求，适合高频开关操作，减少动态损耗，提升整体效率。
热性能方面，尽管采用微型SOT-457封装，但器件的最大功率耗散可达350mW，结合良好的热阻设计，能够在有限的空间内有效散热，保证长时间工作的稳定性。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，使其不仅适用于常温环境，也可在高温工业环境中稳定运行。此外，该器件具备良好的抗静电能力（ESD保护）和稳健的栅氧化层设计，提升了长期使用的可靠性。所有参数均经过严格测试，并在生产过程中实施AEC-Q101应力筛选（如适用），确保产品质量一致性，满足严苛的消费电子与工业控制要求。
3N90L-TQ2-R广泛应用于各类小型化、低功耗电子系统中。典型用途包括移动设备中的LED背光或闪光灯驱动电路，作为开关元件精确控制电流通断；在便携式医疗设备、可穿戴设备和IoT传感器节点中，用作电源管理单元中的负载开关，实现对不同模块的上电/断电控制，以优化能耗。此外，它还可用于音频信号路径切换、继电器替代、小电机驱动以及各种模拟开关电路中，发挥其低导通电阻和快速响应的优势。
在数字逻辑接口扩展中，该MOSFET可用于电平转换或信号门控功能，特别是在主控芯片I/O驱动能力有限的情况下，作为缓冲级增强驱动能力。由于其封装尺寸小（仅2.0×1.25×0.95mm），非常适合高密度布局的智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等紧凑型电子产品。在电池管理系统（BMS）中，也可用于单节或多节锂电池的充放电通路控制，配合保护IC实现安全可靠的电源隔离。总之，凡是需要微型化、高效能、低静态功耗的开关解决方案，3N90L-TQ2-R都是一个理想选择。
MMBF1686,MCP20N03L,TSM2302C,NTR1P02X
