类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：90V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：500mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：2A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on)@4.5V VGS：11Ω（最大）
　　导通电阻RDS(on)@10V VGS：9.5Ω（最大）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：6.8nC（典型）
　　输入电容（Ciss）：32pF（典型）@10V
　　输出电容（Coss）：16pF（典型）@10V
　　反向恢复时间（trr）：34ns（典型）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23

3N90L-TM3-T具备多项优异的电气与物理特性，使其在低功率MOSFET市场中具有较强的竞争力。首先，其90V的漏源击穿电压使得该器件能够在中高压环境下稳定工作，适用于多种DC-DC升压或降压拓扑结构。尽管其电流承载能力有限（500mA），但在便携式设备中已足够应对多数轻载应用场景。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为9.5Ω，而在VGS=4.5V时为11Ω，表明其在低电压逻辑电平驱动下仍能保持良好的导通性能，兼容3.3V或5V微控制器直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　其次，3N90L-TM3-T具有较低的栅极电荷（Qg=6.8nC），这显著降低了开关过程中的驱动损耗，提升了高频开关应用下的能效表现。同时，其输入电容和输出电容分别为32pF和16pF，在同类产品中处于较低水平，有助于减少开关延迟和电磁干扰。此外，反向恢复时间trr为34ns，说明体二极管的恢复特性较好，减少了在感性负载切换时的能量损耗和电压尖峰风险。
　　从热性能角度看，SOT-23封装虽然体积小巧，但通过优化的芯片布局和材料选择，实现了良好的散热能力。器件的最大结温可达+150°C，确保在高温环境下仍能安全运行。其阈值电压范围为2.0V至4.0V，提供了足够的噪声容限，避免因误触发导致的非预期导通。整体而言，3N90L-TM3-T在功耗、尺寸、成本和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用的理想选择。

3N90L-TM3-T广泛应用于对空间和功耗敏感的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的负载开关或电源路径控制，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理系统。在这些场景中，它可用于开启或关闭特定功能模块的供电，以降低待机功耗并延长续航时间。此外，该器件也适用于低压DC-DC转换器电路，如升压（Boost）、降压（Buck）或反激式（Flyback）拓扑，作为同步整流开关或主控开关元件，提升电源转换效率。
　　在LED照明领域，3N90L-TM3-T可用于驱动小型LED灯串或背光模块，特别是在手持设备或装饰照明中，凭借其快速响应能力和低静态功耗，实现精确的亮度调节和节能控制。工业控制方面，该MOSFET可用于传感器信号切换、继电器驱动或小功率电机控制电路，作为固态开关替代机械触点，提高系统可靠性和寿命。
　　由于其SOT-23封装的小型化特点，3N90L-TM3-T非常适合高密度PCB布局，尤其适用于智能手机、蓝牙耳机、无线充电器、USB电源适配器等消费类电子产品。此外，在电源管理IC外围电路中，常被用作理想二极管、热插拔保护或过流保护开关。其兼容逻辑电平的特性也使其成为微控制器GPIO扩展驱动能力的理想补充器件，广泛服务于嵌入式系统和物联网终端设备。

[
　　 "DMG3415U,T1G",
　　 "FDD94AP",
　　 "AO3400",
　　 "SI2302DDS",
　　 "BSS138"
　　]