类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：750V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：150mA（连续）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约5Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：约10nC
　　输入电容（Ciss）：约50pF

3N75 MOSFET具备良好的热稳定性和较高的耐压能力，使其适用于多种开关电源和控制电路。其N沟道结构在导通状态下提供较低的压降，从而减少功率损耗，提高系统效率。此外，3N75的快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于中高频开关应用。
　　该器件的栅极驱动简单，只需提供适当的栅源电压即可实现导通与关断，适合与各种驱动电路配合使用。其低漏极电流限制了在大功率场合的应用，但仍然适合用于小功率DC-DC变换器、继电器替代、LED驱动、继电器控制和小电机控制等场景。
　　3N75还具有较强的抗过载能力和良好的线性工作区，使其在某些模拟应用中也可作为可变电阻使用。同时，其封装设计具有良好的散热性能，确保在连续工作条件下保持稳定。

3N75 MOSFET常用于以下应用场景：
　　? 小型开关电源（SMPS）中的初级或次级开关元件
　　? DC-DC升压/降压模块中的控制开关
　　? 电池供电设备的负载开关控制
　　? 电机驱动电路中的低电流控制开关
　　? LED照明系统中的调光与开关控制
　　? 继电器替代方案，用于无触点开关电路
　　? 逆变器或UPS系统中的辅助电源控制
　　? 工业自动化系统中的传感器或执行器控制开关

2N6754, 2N6756, IRF750, BUZ750