型号：SCS230KE2C
　　制造商：Littelfuse (原Semelab)
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　封装类型：TO-257AA (通孔式)
　　漏源电压VDS：600 V
　　连续漏极电流ID：23 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流IDM：92 A
　　导通电阻RDS(on)：典型值120 mΩ @ VGS = 10 V, 最大值150 mΩ @ VGS = 10 V
　　栅极阈值电压VGS(th)：3.0 ~ 4.5 V
　　栅极电荷Qg：典型值85 nC @ VDS = 480 V, ID = 23 A
　　输入电容Ciss：典型值3060 pF @ VDS = 25 V
　　功耗PD：300 W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　反向恢复时间trr：典型值55 ns

SCS230KE2C具备多项关键特性，使其成为高性能功率开关应用的理想选择。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在高压环境下工作的安全裕度，适用于多种离线式开关电源拓扑结构，如反激、正激或半桥电路。其次，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)最大为150mΩ），这显著降低了导通损耗，提升了系统效率，尤其在大电流负载条件下表现突出。同时，其高达23A的连续漏极电流能力支持高功率输出需求，适用于电机驱动和工业电源系统。
　　该MOSFET采用TO-257AA金属封装，具备优异的散热性能和机械强度，可安装于散热片上以实现高效热管理，延长器件寿命。此外，其平面工艺设计增强了器件的耐用性，并提供了良好的抗雪崩能力和重复性能量耐受性，能够在异常工况下保持稳定运行，减少因瞬态过压导致的失效风险。
　　在动态性能方面，SCS230KE2C拥有适中的栅极电荷（Qg约85nC）和输入电容（Ciss约3060pF），使得开关速度较快且驱动功耗合理，有利于提高开关频率并减小外围滤波元件体积。其反向恢复时间较短（trr≈55ns），有助于降低体二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　此外，该器件支持+150°C的最大工作结温，满足工业级和部分恶劣环境下的温度要求，配合完善的热设计可确保长期可靠运行。整体而言，SCS230KE2C在电气性能、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是中高功率应用中的优选器件之一。

SCS230KE2C广泛应用于各类需要高电压、大电流开关能力的电力电子系统中。常见应用包括工业用开关模式电源（SMPS），特别是在AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关管使用，适用于通信电源、服务器电源及医疗设备电源等对效率和可靠性要求较高的场合。此外，它也被用于不间断电源（UPS）系统的逆变电路中，负责将直流电转换为交流电输出，其高耐压和强电流承载能力保障了在市电中断时的持续供电稳定性。
　　在电机控制领域，SCS230KE2C可用于直流电机驱动器或小型变频器中，执行PWM调速控制，凭借其快速开关响应和低导通损耗，有效提升能效并减少发热。同时，该器件也适用于电焊机、感应加热设备和激光电源等高功率脉冲应用，这些场景通常要求元器件具备较强的瞬态电流承受能力和良好的热循环耐久性。
　　由于其TO-257封装便于安装散热器，因此特别适合自然冷却或强制风冷条件下的紧凑型功率模块设计。此外，在太阳能逆变器、电池管理系统（BMS）以及高可靠性工业自动化控制系统中，SCS230KE2C也能发挥重要作用，提供稳定可靠的功率切换功能。总的来说，该器件适用于所有需要高效率、高耐压和高可靠性的中高功率开关应用环境。

STP230N6F3
　　IRFGB40
　　FQP230N6