类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.4Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：75W
　　封装形式：TO-3
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大栅极电压：±20V

3N71 MOSFET在功率电子器件中具有良好的开关特性和较高的耐用性。其N沟道结构允许在栅极电压控制下实现高效的漏极电流导通和截止。该器件的最大漏源电压可达100V，支持最大8A的漏极电流，适用于多种中功率应用场景。导通电阻约为0.4Ω，虽然相比现代MOSFET略高，但在当时属于较优水平。
　　3N71采用TO-3金属封装，具备优异的散热能力，可在高功耗条件下稳定运行。此外，该器件具有较高的热稳定性和抗过载能力，适合用于电机驱动、电源开关和音频放大器等对可靠性要求较高的设备。
　　3N71的栅极阈值电压为2V至4V，表明其在较低的栅极电压下即可开始导通，但为了确保完全导通并降低导通损耗，通常建议使用高于5V的栅极驱动电压。同时，该器件的栅极承受电压限制为±20V，因此在使用过程中需注意避免过高的栅极电压以防止损坏。

3N71 MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源、直流电机控制、音频功率放大器以及逆变器等设备。在开关电源设计中，3N71可用于构建DC-DC转换器或作为功率开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，该器件可作为H桥结构中的开关元件，用于控制电机的正反转和调速。
　　此外，3N71曾广泛用于早期的音频功率放大器设计，尤其是在真空管放大器向晶体管放大器过渡时期，被用于构建高保真音频输出级。由于其良好的热稳定性和较高的电流承载能力，能够满足音频放大器对低失真和稳定输出的需求。
　　在工业控制领域，3N71也可用于继电器驱动、固态继电器和负载开关等应用。尽管随着新型低导通电阻MOSFET的出现，3N71逐渐被更高效的器件取代，但在某些经典设计和维修替换中仍具有一定的应用价值。

IRF540, 2N6754, BUZ11