3N70L-TM3-T 时间：2025/12/27 7:33:49 阅读：12

3N70L-TM3-T是一款由Vishay Semiconductors生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-223封装。该器件专为高效率开关电源应用而设计，具备低导通电阻、高耐压和优良的热性能等特点。其700V的漏源击穿电压使其适用于多种离线式开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和LLC谐振转换器等。该MOSFET在设计上优化了动态参数，以减少开关损耗，提升系统整体能效。此外，3N70L-TM3-T符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于对环境要求较高的工业与消费类电子产品中。
　　该器件的栅极阈值电压适中，便于驱动电路设计，同时具备良好的抗雪崩能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。SOT-223封装形式提供了较好的散热性能，适合在紧凑空间内实现高效功率传输。3N70L-TM3-T广泛用于AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、待机电源以及小型逆变器等场合。由于其高电压能力和稳定的电气特性，该器件在成本敏感且对可靠性要求较高的应用中表现出色。

参数

型号：3N70L-TM3-T
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-223
　　漏源电压（Vds）：700 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：3 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：12 A
　　导通电阻Rds(on)：max 4.5 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：typ 35 pF
　　输出电容（Coss）：typ 15 pF
　　反向恢复时间（trr）：—
　　工作温度范围：-55 ~ +150 ℃
　　热阻结到外壳（RthJC）：max 50 K/W
　　功率耗散（Ptot）：50 W

特性

3N70L-TM3-T具备出色的电气与热性能，能够满足高电压、小电流开关电源中的关键需求。其700V的漏源击穿电压确保了在高压环境下工作的稳定性，特别适用于85~265V AC输入的通用电压电源系统。该MOSFET的导通电阻最大为4.5Ω，在同类器件中处于合理水平，有助于降低导通损耗，提高能效。由于采用了先进的沟槽栅技术，该器件在保持较低Rds(on)的同时，还优化了栅极电荷（Qg）和跨导（gm），从而减少了开关过程中的能量损耗，提升了高频工作时的整体效率。
　　该器件具有良好的热管理能力，SOT-223封装集成了散热片，可以直接焊接至PCB上的大面积铜箔进行散热，有效降低结温上升速度。其热阻结到外壳（RthJC）典型值低于50K/W，使得在持续负载条件下仍能维持可靠运行。此外，3N70L-TM3-T的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应极端环境下的应用需求，例如高温工业环境或低温户外设备。
　　在可靠性方面，该MOSFET经过严格的制造工艺控制，具备优异的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定。其栅氧化层质量高，可承受±30V的栅源电压，避免因驱动信号波动导致的误触发或损坏。同时，器件内部未集成续流二极管，因此在需要快速反向恢复的应用中需外接肖特基二极管或使用同步整流架构。
　　该产品符合国际环保标准，不含铅和卤素，符合RoHS指令要求，适用于绿色电子产品设计。生产流程遵循AEC-Q101等可靠性测试规范，确保批量一致性与长期服役稳定性。总体而言，3N70L-TM3-T是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的中压大功率MOSFET，适用于多种中小功率电源转换场景。

应用

3N70L-TM3-T主要用于各类中小功率开关模式电源系统中，尤其是在需要高电压隔离与高效能量转换的场合。典型应用包括通用输入范围（85~265V AC）的AC-DC适配器与充电器，如手机、笔记本电脑、智能家居设备的电源模块。其700V耐压能力足以应对整流后约380V DC的母线电压，并留有充足的安全裕量，防止电压尖峰导致击穿失效。
　　在LED照明领域，该器件常用于非隔离式降压（Buck）或隔离式反激（Flyback）恒流驱动电路中，作为主控开关管使用。其低输入电容（Ciss）减少了驱动损耗，有利于提升驱动器整体效率，并降低电磁干扰（EMI）。对于需要待机功能的小功率电源，3N70L-TM3-T凭借其低静态功耗和高开关速度，成为理想选择。
　　此外，该MOSFET也适用于小型逆变器、UPS不间断电源、电机控制板中的辅助电源电路以及工业仪表电源单元。在这些应用中，器件需长期稳定运行于复杂电磁环境中，3N70L-TM3-T的高抗扰性与热稳定性保障了系统的可靠性。由于其SOT-223封装体积较小且易于自动化贴装，非常适合现代高密度PCB布局需求，广泛应用于消费电子、工业控制、智能家电等领域。