时间：2025/12/27 8:07:10
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3N65K-MT是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用先进的高压制程技术制造，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。该器件设计用于在650V的漏源电压下工作，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，有助于提升系统的整体能效。3N65K-MT采用TO-220M-3封装形式，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于工业级环境下的长期运行。该MOSFET的栅极阈值电压适中，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与各类PWM控制器或驱动IC配合使用。此外，器件内部集成了体二极管，能够在感性负载关断时提供反向电流通路，保护MOSFET免受反向电压冲击。3N65K-MT通过了多项国际安全与可靠性认证，符合RoHS环保要求，适合现代绿色能源产品设计需求。其命名中的“3N”代表N沟道MOSFET，“65”表示额定电压为650V，“K”为产品系列标识，“MT”则指代封装类型为TO-220M-3。这款器件常用于LED驱动电源、适配器、充电器、光伏逆变器等中高功率应用场景中。
型号：3N65K-MT
制造商：UTC（Unisonic Technologies Co., Ltd.）
晶体管类型：N沟道MOSFET
漏源击穿电压（BVDSS）：650V
连续漏极电流（ID）：3A（@25℃）
脉冲漏极电流（IDM）：12A
栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.5V
导通电阻（RDS(on)）：2.0Ω（@VGS=10V, ID=1.5A）
最大栅源电压（VGSS）：±30V
功耗（PD）：50W（@TC=25℃）
工作结温范围（TJ）：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围（TSTG）：-55℃ ~ +150℃
封装类型：TO-220M-3
3N65K-MT具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高耐压与低导通损耗的平衡设计。该MOSFET的漏源击穿电压高达650V，使其能够稳定工作于高压环境中，如离线式开关电源和AC-DC转换器中，有效防止因瞬态过压导致的器件损坏。同时，其导通电阻RDS(on)在VGS=10V条件下仅为2.0Ω，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，尤其适用于高频开关应用。器件的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC，这有助于减少驱动电路的功耗并加快开关速度，从而降低开关损耗，提高电源的整体能效。
该器件采用TO-220M-3封装，具有较大的金属背板，便于安装散热片，有效改善热传导路径，确保在高负载条件下仍能保持较低的结温。这种封装还具备良好的机械强度和绝缘性能，适用于PCB直插安装，并可通过螺丝固定实现更高效的散热管理。3N65K-MT的栅源阈值电压在3.0V至4.5V之间，确保了器件在标准5V或10V驱动信号下可靠开启，避免误触发。此外，其体二极管具有较快的反向恢复特性，可在桥式电路或感性负载切换时提供有效的续流路径，减少电压尖峰对系统的冲击。
在可靠性方面，3N65K-MT经过严格的生产测试和老化筛选，具备良好的抗雪崩能力和抗静电能力（ESD），能够在恶劣的电磁环境下稳定运行。其符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代环保制造趋势。该MOSFET还具备较高的输入阻抗，驱动功率小，适合与微控制器、PWM控制器等低功率驱动源直接接口，简化了外围电路设计。综合来看，3N65K-MT是一款性价比高、适用范围广的高压MOSFET，特别适合中等功率电源系统的设计需求。
3N65K-MT广泛应用于各类中高电压、中低电流的电力电子设备中。典型应用包括：开关模式电源（SMPS），特别是反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的AC-DC适配器与充电器；LED恒流驱动电源，用于商业照明、户外路灯及工业照明系统；DC-DC升压或降压转换器，尤其是在太阳能逆变器和电池管理系统中；电机控制电路，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动模块；以及各类工业电源模块、UPS不间断电源、家电控制板等。由于其具备650V高耐压能力，该器件特别适用于连接市电（110V或220V AC）的初级侧开关电路中，作为主开关管或同步整流管使用。此外，在待机电源（Standby Power Supply）设计中，3N65K-MT也能发挥低静态功耗和高效率的优势，满足能源之星等能效标准的要求。其稳定的性能和可靠的封装使其成为工业自动化、智能家居、新能源等领域中不可或缺的关键元器件之一。
UT3N65K-T
