时间：2025/12/27 8:38:01
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3N65-TC2是一款由三安光电（San'an Photoelectric）推出的高效率氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）芯片，主要用于高亮度白光LED封装。该型号中的“3N”通常代表产品系列或结构类型，“65”可能指芯片尺寸为65mil（约1.65mm），“TC2”则可能表示特定的技术版本或电极配置。该芯片采用InGaN（铟镓氮）材料体系，基于蓝宝石或碳化硅衬底制造，具备优良的光电转换效率和热稳定性。3N65-TC2主要面向大功率照明应用，如LED路灯、工业照明、汽车前大灯、投影设备及商业照明等。其设计优化了电流扩展和光提取效率，能够在较高驱动电流下保持稳定的光输出和较低的热阻。该芯片通常以倒装焊（Flip-Chip）或共晶焊（Eutectic）方式封装在陶瓷基板或金属支架上，配合荧光粉实现白光发射。作为高端LED芯片，3N65-TC2在亮度、可靠性和寿命方面表现优异，适用于需要长寿命和高光通量的严苛环境。
芯片类型：InGaN 蓝光LED芯片
发光波长：450nm - 455nm（典型值452nm）
芯片尺寸：65mil × 65mil（约1.65mm × 1.65mm）
正向电压（Vf）：2.9V - 3.4V @ 350mA
光通量：典型值 ≥ 180 lm @ 350mA（搭配YAG荧光粉）
最大工作电流：700mA
反向耐压：≥ 5V
热阻：≤ 8 K/W（从结到焊盘）
工作温度范围：-40°C 至 +120°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
电极配置：垂直结构（Vertical Structure）或倒装电极
焊接建议温度：260°C，≤ 10秒
3N65-TC2 LED芯片在材料结构和制造工艺上进行了多项优化，以提升整体性能和可靠性。首先，该芯片采用高质量的InGaN多量子阱（MQW）有源区，通过精确控制铟组分和井/垒层厚度，实现了高效的电子-空穴复合，从而获得高内量子效率（IQE）。同时，芯片表面采用了粗化处理（Surface Roughening）技术，有效增强了光子的散射效应，提高了光提取效率（Light Extraction Efficiency），减少了内部全反射造成的光损失。
其次，3N65-TC2采用了优化的透明导电层（如ITO）和电流扩展层设计，确保电流在P型GaN层中均匀分布，避免局部过热和电流拥挤现象，从而提升发光均匀性和长期稳定性。此外，该芯片的电极设计支持大电流驱动，在350mA至700mA范围内仍能保持较高的光效和较低的电压上升趋势，适合多种调光和恒流驱动方案。
在热管理方面，3N65-TC2通过低热阻的衬底转移工艺（如从蓝宝石转移到SiC或金属基板）显著降低了结温上升速度，延长了器件寿命。其热阻指标控制在8K/W以内，意味着在标准散热条件下可长时间稳定运行。同时，芯片表面钝化层和金属电极具有良好的抗氧化和抗电迁移能力，提升了在高温高湿环境下的可靠性。
制造过程中，3N65-TC2采用全自动固晶机兼容的编带包装，便于自动化封装产线使用。其一致性高，批次间光色参数波动小，有利于提高成品率和降低终端产品的调校成本。总体而言，该芯片代表了当前国产高端GaN LED芯片的技术水平，广泛应用于对光品质和可靠性要求较高的照明系统中。
3N65-TC2主要用于高亮度、高可靠性要求的照明与显示领域。在通用照明方面，它被广泛用于LED路灯、隧道灯、工矿灯等户外及工业照明产品中，因其高光效和长寿命特性，能够显著降低能耗和维护成本。在商业照明场景，如超市、展厅和办公室，该芯片可用于筒灯、面板灯和轨道灯，提供高显色性白光，改善视觉舒适度。
在特种照明领域，3N65-TC2也适用于植物生长灯、紫外激发光源和医疗照明设备。通过搭配不同荧光粉组合，可调节色温从暖白光（3000K）到冷白光（6500K），满足多样化需求。此外，该芯片还可用于汽车照明，尤其是日间行车灯（DRL）和近光灯模组，得益于其紧凑尺寸和高亮度输出，有助于实现小型化和高集成度设计。
在投影仪和舞台灯光等高端显示设备中，3N65-TC2可作为蓝光激发源，配合荧光轮或激光荧光粉系统产生高亮度白光或彩色光，提升画面亮度和色彩饱和度。由于其响应速度快、无频闪特性，也适合用于智能照明和可调光系统。随着Mini-LED和高密度LED阵列的发展，3N65-TC2还可作为基础单元用于局部调光背光模组，提升液晶显示器的对比度和能效。
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