3N60L-TN3-R 时间：2025/12/27 7:21:50 阅读：19

3N60L-TN3-R是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装形式，并以卷带包装（Tape and Reel），适用于自动化贴片生产。该器件设计用于中等功率开关应用，具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，能够在高效率电源转换系统中实现优异的性能。其额定漏源电压（V_DS）为600V，适合在高压环境中工作，例如开关模式电源（SMPS）、AC-DC转换器和DC-DC变换器等。该MOSFET基于平面栅极技术制造，具备良好的热稳定性和可靠性，在连续工作条件下能够保持稳定的电气特性。此外，3N60L-TN3-R符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，广泛应用于消费类电子、工业控制以及照明驱动等领域。由于其封装具备良好的散热能力，可通过PCB上的焊盘有效导出热量，从而提升整体系统的热管理效率。这款MOSFET还内置了快速恢复体二极管，有助于减少反向恢复损耗，提高系统效率，尤其在硬开关拓扑结构中表现突出。

参数

型号：3N60L-TN3-R
　　制造商：Diodes Incorporated
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（V_DS）：600V
　　栅源电压（V_GS）：±30V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：3A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：12A
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=10V：4.5Ω（最大值）
　　导通电阻（R_DS(on)）@V_GS=5V：5.8Ω（最大值）
　　阈值电压（V_GS(th)）：2~4V
　　输入电容（C_iss）：680pF @ V_DS=25V
　　输出电容（C_oss）：170pF @ V_DS=25V
　　反向恢复时间（t_rr）：420ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

特性

3N60L-TN3-R具备多项关键特性，使其成为中高压功率开关应用中的理想选择。首先，其600V的高漏源击穿电压确保了在高电压环境下工作的安全性与稳定性，特别适用于离线式开关电源设计，能够在整流后的高压直流母线上可靠运行。其次，该器件在V_GS=10V时典型R_DS(on)仅为4.5Ω，这一低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。即使在栅极驱动电压较低（如5V）的应用场景下，其R_DS(on)仍能保持在5.8Ω以内，展现出良好的栅控能力，兼容多种驱动IC输出电平。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有优良的热稳定性和长期可靠性。其TO-252封装不仅体积紧凑，便于自动化装配，而且通过底部散热片可将热量高效传导至PCB，增强散热性能，从而允许器件在较高环境温度下持续工作。此外，器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复特性（t_rr=420ns），有助于抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），在桥式或同步整流电路中可减少额外外接二极管的需求。
　　3N60L-TN3-R还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的自我保护功能。其栅极氧化层经过优化设计，支持±30V的栅源电压耐受能力，提高了对驱动信号波动的容忍度。同时，该器件符合工业级温度范围要求（-55°C至+150°C），可在恶劣环境条件下稳定运行。所有材料均符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对环保的严格要求。

应用

3N60L-TN3-R广泛应用于多种中高电压功率转换场景。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作主开关管，特别是在反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构中，承担能量传递与切断功能，适用于适配器、充电器和小型电源模块。在AC-DC转换器中，该MOSFET可用于PFC（功率因数校正）升压开关或主变换级，帮助实现更高的能效和更低的谐波失真。此外，在DC-DC变换器中，尤其是在隔离型设计中，3N60L-TN3-R可用于初级侧开关，配合变压器实现电压变换与稳压。
　　该器件也适用于LED照明驱动电源，特别是高亮度LED恒流电源系统中，作为功率开关元件参与PWM调光或恒功率控制。在工业控制设备中，如PLC电源模块、继电器驱动电路或电机控制辅助电源中，3N60L-TN3-R因其高可靠性和紧凑封装而受到青睐。家用电器中的微波炉、空调、洗衣机等设备的内置电源单元同样可能采用此类MOSFET进行电压调节与隔离。此外，由于其具备一定的抗浪涌能力，也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关或保护电路。总之，凡涉及600V以下高压开关操作、要求高效率与小体积的场合，3N60L-TN3-R都是一种经济且可靠的解决方案。