时间：2025/12/27 7:53:02
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3N60G-TN3-R是一款由三安集成（Sangi）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的高压平面技术制造，专为高效率开关电源、DC-DC转换器以及其他中高功率应用而设计。该器件封装在小型化的TO-252（D-Pak）封装中，具有良好的热性能和可靠的电气特性，适用于需要紧凑布局和高效散热的电路设计。3N60G-TN3-R广泛应用于消费类电子产品、工业控制设备以及LED照明驱动电源等领域。
这款MOSFET的额定电压为600V，能够承受较高的漏源电压，在高频开关条件下依然保持稳定的工作性能。其低导通电阻和优化的栅极电荷特性有助于降低导通损耗与开关损耗，从而提升整个系统的能效表现。此外，该产品通过了RoHS环保认证，符合无铅焊接工艺要求，适合现代绿色电子产品的生产标准。
由于其高耐压能力和稳定的可靠性，3N60G-TN3-R常被用于反激式（Flyback）或准谐振（QR）拓扑结构的开关电源中作为主开关管使用。同时，器件具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的自我保护能力，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
型号：3N60G-TN3-R
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）@25℃：3A
脉冲漏极电流（IDM）：12A
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：≤2.5Ω
阈值电压（Vth）：2~4V
输入电容（Ciss）：典型值600pF
输出电容（Coss）：典型值120pF
反向恢复时间（trr）：典型值30ns
工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-252（D-Pak）
3N60G-TN3-R采用高压平面工艺制造，具备出色的击穿电压稳定性与长期可靠性。其600V的高耐压能力使其能够适应多种离线式电源应用场景，尤其是在交流输入电压波动较大的环境中仍能保持安全运行。该器件在高温下仍能维持较低的漏电流，确保在满载或恶劣环境下的系统稳定性。
该MOSFET的导通电阻经过优化，在VGS=10V时可达到2.5Ω以下，有效降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率。同时，其较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）使得在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有利于减小驱动电路的设计复杂度并降低EMI干扰水平。
器件内部结构设计注重热分布均匀性，结合TO-252封装良好的散热性能，可在持续负载条件下实现有效的热量传导，延长使用寿命。此外，3N60G-TN3-R具备较强的抗雪崩能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载关断过程中吸收一定的能量而不发生永久性损坏，提升了整体系统的安全性。
该产品还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰度，能够在快速切换过程中避免误触发或寄生导通现象的发生。所有参数均经过严格筛选与测试，保证批次一致性，便于自动化贴片生产线使用。其无卤素材料选项也满足高端市场对环保材料的需求。
3N60G-TN3-R主要应用于各类中小功率开关电源系统，如手机充电器、适配器、电视机和显示器的内置电源模块等。它特别适合用于反激式变换器中的主开关元件，能够在宽输入电压范围内高效工作，并支持恒压（CV）与恒流（CC）双模式控制策略。
在LED照明领域，该器件可用于构建高效的隔离型或非隔离型LED驱动电源，尤其适用于高亮度LED路灯、室内筒灯及商业照明系统。其高耐压特性允许直接连接整流后的市电，简化前端电路设计。
此外，该MOSFET也可用于DC-DC升压或降压转换器、电机控制电路、逆变电源以及小型家电中的功率控制单元。由于其封装体积小且易于安装，非常适合空间受限的应用场景。在工业控制设备中，可用于继电器驱动、电磁阀控制或PLC输出级的功率切换。
得益于其优良的温度稳定性和抗干扰能力，3N60G-TN3-R还可应用于环境温度变化较大的户外设备或工业环境中，例如安防摄像头电源、智能电表电源模块等。同时，它也是许多低成本绿色能源系统中理想的功率开关选择。
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