3N258 时间：2025/7/18 20:46:42 阅读：3

3N258是一款常用的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器和开关电源等领域。该器件采用TO-220封装，具有良好的导热性能和较高的电流承载能力。3N258以其高效率、低导通电阻和良好的稳定性在工业和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.6Ω（典型值）
　　封装类型：TO-220

特性

3N258作为一款N沟道MOSFET，具有出色的开关性能和低导通电阻，使其在高频开关应用中表现优异。其高耐压能力（100V）使其适用于中高功率应用，例如DC-DC转换器、电池充电器和负载开关。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常在4V至10V之间），可兼容多种控制电路。此外，3N258具备良好的热稳定性和过热保护能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　3N258的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，适合安装在散热片上以提高功率处理能力。它还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗并提高效率。这些特性使得3N258在电源管理和自动化控制应用中具有很高的可靠性。

应用

3N258常用于各种电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。它也适用于需要高效开关的负载控制电路，如LED驱动、继电器替代和自动控制电路。此外，3N258还可用于逆变器、UPS（不间断电源）和工业自动化设备中的功率开关部分。由于其良好的导通特性和较高的耐压能力，该器件在许多中功率应用中成为理想选择。