类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-3P

3N215 MOSFET具有多项优异的电气和热性能，使其在多种应用中表现出色。首先，其最大漏源电压（VDS）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源系统。其次，连续漏极电流（ID）为4A，支持中等功率负载的高效切换。此外，该器件的栅源电压（VGS）范围为±20V，允许使用较高的栅极驱动电压以确保完全导通并减少导通电阻。
　　在热性能方面，3N215采用TO-220或TO-3P封装形式，具有良好的散热能力，能够在较高功率条件下稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适用于各种工业和恶劣环境条件。
　　该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。同时，其快速开关特性也使其适用于高频开关电路，如开关电源（SMPS）和直流-直流转换器。3N215还具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于对稳定性要求较高的应用。

3N215广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、电机控制电路、直流-直流转换器、开关电源（SMPS）、工业控制设备、LED照明驱动电路以及电池管理系统。在电源管理方面，3N215用于高效地切换高电压和高电流负载，确保系统稳定运行。在电机控制中，它能够作为H桥中的开关元件，实现正反转控制。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压或降压拓扑结构，提供高效的能量转换。此外，3N215也可用于继电器替代、负载开关和保护电路等应用场景。

IRF540, FQP4N60, 2N6782