时间：2025/9/3 2:16:57
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3N208 是一款经典的N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、放大器以及各种功率控制电路中。该器件采用TO-3金属封装，具有良好的散热性能和较高的可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：8A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：约0.25Ω（典型值）
功耗（Pd）：75W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-3
3N208 MOSFET以其坚固的设计和良好的性能特性而闻名。该器件采用硅栅极技术，具有较高的输入阻抗和快速的开关响应时间，适用于高频开关应用。其TO-3封装形式提供了优异的热管理和机械稳定性，使其能够在恶劣环境中稳定工作。
3N208的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温条件下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和电源管理应用。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种驱动电路配合使用。同时，其高耐压能力和较大的漏极电流能力使其适用于多种功率转换和控制电路。
3N208常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、功率放大器、逆变器和各种功率开关电路中。由于其良好的散热性能和可靠性，它也常被用于需要高效率和高稳定性的工业控制系统和电源设备中。
IRF540, 2N6756, BUZ11
