3N179 是一款经典的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由国际整流器公司(International Rectifier)生产。这款MOSFET广泛用于电源开关、功率放大器、逆变器以及各种高电压、高电流的电子电路中。3N179以其高可靠性、良好的热稳定性和快速开关特性而闻名,是上世纪70年代至90年代中功率电子应用中的主流器件之一。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):400V
最大漏极电流(Id):10A
最大栅源电压(Vgs):±30V
导通电阻(Rds(on)):约0.25Ω(典型值)
最大功耗(Pd):75W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-204(金属封装,类似TO-3)
3N179 MOSFET具有多项显著的电气和热性能特点。首先,其最大漏源电压为400V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压开关应用。其次,最大漏极电流为10A,使得该器件能够处理相对较大的负载电流,适合用于中等功率的电源转换系统。其导通电阻约为0.25Ω,这一较低的导通电阻有助于减少导通损耗,提高系统效率。
该器件采用了增强型MOSFET结构,确保在栅极电压为零时器件处于关闭状态,提高了系统的安全性和稳定性。栅源电压最大为±30V,提供了较大的栅极控制灵活性,同时具备一定的抗干扰能力。
3N179采用TO-204金属封装,这种封装形式具有良好的散热性能,能够有效将器件在工作过程中产生的热量传导出去,从而提升器件的热稳定性和可靠性。此外,其最大功耗为75W,表明其具备一定的高功率承受能力。
工作温度范围为-55°C至+150°C,使3N179能够在各种环境条件下稳定运行,包括高温和低温极端环境。这使得它在工业控制、电源供应器、音频放大器等场合中具有广泛的应用基础。
3N179广泛应用于多种电子系统中,尤其是在需要中高压、中大电流开关控制的场合。在开关电源(SMPS)中,3N179常用于初级侧的功率开关,能够高效地控制能量从输入端向变压器或电感的传输,适用于反激式、正激式等多种拓扑结构。在音频功率放大器中,它被用于输出级,能够提供较高的输出功率和良好的线性特性。
该器件也常用于电机驱动和直流-直流转换器(DC-DC Converter)中,作为功率开关来控制电机的转速或调节电压输出。由于其具备较高的耐压和耐流能力,3N179也常被用于不间断电源(UPS)、逆变器(Inverter)以及太阳能逆变系统等新能源相关的应用中。
此外,在工业自动化系统中,3N179可用于继电器替代、电磁阀控制、加热元件调节等场合,具备较高的可靠性和较长的使用寿命。
2N6798, IRF840, BUZ41A