类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：400V
　　最大漏极电流（Id）：10A
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：约0.25Ω（典型值）
　　最大功耗（Pd）：75W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-204（金属封装，类似TO-3）

3N179 MOSFET具有多项显著的电气和热性能特点。首先，其最大漏源电压为400V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关应用。其次，最大漏极电流为10A，使得该器件能够处理相对较大的负载电流，适合用于中等功率的电源转换系统。其导通电阻约为0.25Ω，这一较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用了增强型MOSFET结构，确保在栅极电压为零时器件处于关闭状态，提高了系统的安全性和稳定性。栅源电压最大为±30V，提供了较大的栅极控制灵活性，同时具备一定的抗干扰能力。
　　3N179采用TO-204金属封装，这种封装形式具有良好的散热性能，能够有效将器件在工作过程中产生的热量传导出去，从而提升器件的热稳定性和可靠性。此外，其最大功耗为75W，表明其具备一定的高功率承受能力。
　　工作温度范围为-55°C至+150°C，使3N179能够在各种环境条件下稳定运行，包括高温和低温极端环境。这使得它在工业控制、电源供应器、音频放大器等场合中具有广泛的应用基础。

3N179广泛应用于多种电子系统中，尤其是在需要中高压、中大电流开关控制的场合。在开关电源（SMPS）中，3N179常用于初级侧的功率开关，能够高效地控制能量从输入端向变压器或电感的传输，适用于反激式、正激式等多种拓扑结构。在音频功率放大器中，它被用于输出级，能够提供较高的输出功率和良好的线性特性。
　　该器件也常用于电机驱动和直流-直流转换器（DC-DC Converter）中，作为功率开关来控制电机的转速或调节电压输出。由于其具备较高的耐压和耐流能力，3N179也常被用于不间断电源（UPS）、逆变器（Inverter）以及太阳能逆变系统等新能源相关的应用中。
　　此外，在工业自动化系统中，3N179可用于继电器替代、电磁阀控制、加热元件调节等场合，具备较高的可靠性和较长的使用寿命。

2N6798, IRF840, BUZ41A