类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（在25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：32A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　功耗（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220

3N158A具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的耐压能力（Vds=100V），适用于多种中高压应用。此外，3N158A的连续漏极电流可达8A，在适当的散热条件下能够支持更高的负载。该MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围宽（-55°C至+175°C），适合在恶劣环境下使用。
　　3N158A还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高响应速度。其TO-220封装设计便于安装和散热，适合PCB布局和自动化生产。另外，该器件的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路，提高了设计的灵活性。
　　从可靠性角度来看，3N158A具备较强的抗过载和短路能力，适用于需要高稳定性的工业控制系统和电源设备。该MOSFET的制造工艺成熟，性能稳定，适合大批量使用。

3N158A广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统中。它适用于中等功率的电源转换电路，如反激式变换器、正激式变换器和同步整流器。此外，3N158A可用于PWM电机控制、继电器驱动和负载开关等应用场景。
　　在消费类电子产品中，该MOSFET可用于LED驱动、充电器和电源适配器。在工业控制领域，3N158A可用于PLC输入/输出开关、自动控制系统和智能电表。由于其良好的热稳定性和高频特性，该器件也常用于逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能控制器等应用中。

IRF540N, FDPF5N50, FQP8N100, STP8NK100Z