类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：TO-66（金属罐封装）
　　最大漏极电流（ID）：约1.5A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：通常在2.5Ω左右
　　功耗（PD）：约30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+175°C

3N132作为一款早期的功率MOSFET，具备许多MOSFET器件的典型特性，例如高输入阻抗、低驱动功率需求以及快速开关能力。该器件的高输入阻抗使其在栅极驱动电路中消耗的功率极低，从而提高了整体系统的效率。此外，3N132的TO-66封装提供了良好的散热性能，使其能够在较高的环境温度下稳定工作。
　　在导通状态下，3N132的漏源电阻（RDS(on)）较低，从而减少了导通损耗。尽管其RDS(on)值相较于现代MOSFET较高，但在其设计时期，这一性能已经足以满足大多数工业应用的需求。
　　3N132还具备良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持性能稳定。这种特性使其适用于一些需要在高温环境下工作的设备，例如老式音频放大器、开关电源以及马达驱动电路。
　　由于MOSFET器件的栅极绝缘层特性，3N132在栅极电压控制方面具有良好的线性度，使其在模拟信号放大应用中也有一定的使用场景。此外，该器件的快速开关能力使其适用于中低频功率转换应用。

3N132主要用于一些老式电子设备中，例如早期的音频功率放大器，用于提供高保真的音频输出。在这些应用中，3N132的高输入阻抗和良好的热稳定性使其成为一种可靠的功率放大器件。
　　此外，3N132也常用于开关电源中的功率转换部分，例如DC-DC转换器或AC-DC整流电路。尽管其导通电阻相对较高，但在低功率应用中仍然可以提供足够的效率。
　　在工业控制领域，3N132也被用于马达驱动电路和继电器控制电路。由于其能够承受较高的漏源电压，并且具备一定的过载能力，因此在一些低速马达控制或开关应用中表现出色。
　　还有一些实验和教学环境中，3N132被用于MOSFET工作原理的教学演示，帮助学生理解功率MOSFET的基本工作方式。

IRF510, 2N6756