类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

3N115 MOSFET 具备一系列优异的电气和物理特性，使其在多种电源和功率控制应用中表现出色。
　　首先，该器件的最大漏源电压为 100V，能够承受较高电压应力，适用于多种中等电压应用，如直流电源转换器和电机驱动电路。其最大漏极电流为 5A，结合较低的导通电阻（RDS(on) 为 0.65Ω），在高电流工作条件下仍能保持较低的功耗，从而提升整体系统效率。
　　其次，3N115 的栅源电压容限为 ±20V，使其在不同的栅极驱动电路中具有较好的兼容性，并能承受一定程度的电压瞬变而不损坏。此外，其 TO-220 封装具有良好的散热性能，能够有效地将热量传导至散热片，从而提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　3N115 还具有快速开关能力，开关时间较短，适用于中高频的开关应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和脉宽调制（PWM）控制电路。同时，其耐用性和稳定性也使其在恶劣环境中表现良好，适合工业控制和自动化设备使用。
　　综上所述，3N115 凭借其良好的电气性能、较强的热稳定性和广泛的适用性，成为一款经典的通用功率 MOSFET 器件。

3N115 MOSFET 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为功率开关管，用于降压、升压或反激式变换器中。
　　2. 电机控制：在直流电机驱动电路中作为开关元件，实现调速和方向控制。
　　3. 电子负载：用于测试电源或电池的电子负载电路中，实现可变电阻模拟。
　　4. 照明控制：用于 LED 灯具或 HID 灯的调光控制电路中。
　　5. 工业自动化：作为固态继电器或继电器替代元件，用于工业控制系统中的负载切换。
　　6. 逆变器与充电器：在小型逆变器或电池充电器中作为功率开关使用。

2N6756, IRF510, BUZ11, 2N6428