时间:2025/12/25 10:56:09
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RLZTE-118.2B是一款由Rohm Semiconductor(罗姆半导体)生产的表面贴装齐纳二极管,属于RLZTE系列。该系列二极管专为高精度电压参考和稳压应用而设计,采用小型SOD-523(SC-79)封装,具有较小的尺寸和良好的热稳定性,适用于空间受限的便携式电子设备。RLZTE-118.2B的标称齐纳电压为8.2V,在测试电流下能提供稳定的电压基准。该器件通过精确的电压调节能力,广泛应用于电源管理、电压检测、信号调理以及嵌入式系统中的参考电压源等场景。
RLZTE系列采用了先进的制造工艺,确保了器件在不同工作条件下的稳定性和可靠性。其低动态阻抗特性使其能够在负载变化时维持输出电压的稳定,同时具备较低的温度系数,减小了环境温度波动对参考电压的影响。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适合现代绿色电子产品制造的需求。
类型:齐纳二极管
极性:单向
封装:SOD-523 (SC-79)
标称齐纳电压:8.2V
容差:±2%
测试电流:5mA
最大齐纳阻抗(Zzt):20Ω
功率耗散:200mW
工作结温范围:-55°C ~ +150°C
反向漏电流(VR):≤ 1μA @ 6.6V
RLZTE-118.2B具备优异的电压稳定性和温度特性,是精密模拟电路中理想的电压参考元件。其核心特性之一是±2%的电压容差,在批量生产中能够保证一致的电气性能,减少了系统校准的需求。该器件在5mA的测试电流下工作,能够提供稳定的8.2V齐纳电压,适用于需要精确电压阈值检测的应用,例如微控制器复位电路或ADC参考源。
该齐纳二极管具有低动态阻抗(最大20Ω),意味着即使输入电流发生波动,输出电压也能保持高度稳定,这对于噪声敏感的应用至关重要。此外,其温度系数经过优化,在整个工作温度范围内表现出较小的电压漂移,提升了长期工作的可靠性。SOD-523封装不仅体积小巧(约1.6mm × 1.2mm × 0.8mm),还具备良好的散热性能,适合高密度PCB布局。
RLZTE-118.2B的200mW功率等级足以应对大多数低功耗稳压需求,同时避免了过热风险。器件采用可靠的硅PN结结构,具备较强的抗静电能力和耐久性。其反向漏电流极低(不超过1μA @ 6.6V),在待机或低功耗模式下几乎不消耗额外能量,有助于延长电池供电设备的续航时间。此外,该器件通过AEC-Q101车规认证的可能性较高(需查证具体型号),可用于汽车电子中的传感器接口或电源监控模块。
由于采用无铅且符合RoHS指令的设计,RLZTE-118.2B支持回流焊和波峰焊等多种贴片工艺,便于自动化生产。其电参数经过严格筛选和测试,确保每一批次产品的一致性与可靠性,适用于工业控制、消费电子、通信设备及医疗仪器等多种领域。
主要用于便携式电子设备中的电压参考、电源电压监测、过压保护电路、微控制器复位电路、ADC/DAC参考电压源、电池供电系统的电压调节、信号电平转换以及各种需要稳定基准电压的模拟电路中。也常见于汽车电子、工业传感器接口和消费类主板上的稳压单元。
MMSZ5237B-7-F,MCP1541T-8.2-E/TT,TL431ILP