3LP02C-TL-E 时间：2025/9/21 8:32:25 阅读：6

3LP02C-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，适用于高效率电源管理应用。该器件封装在小型SOT-23（SC-59）封装中，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合在空间受限的便携式电子设备中使用。3LP02C-TL-E广泛应用于负载开关、电源切换、电池管理电路以及DC-DC转换器等场景。其栅极阈值电压为负值，符合P沟道MOSFET的典型特性，能够在低电压控制信号下实现对较高电压负载的有效控制。由于其小尺寸和高性能，该器件在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中得到了广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：-8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.2A
　　导通电阻RDS(on)：-75mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：-100mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻RDS(on)：-130mΩ @ VGS = -1.8V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.6V ~ -1.2V
　　输入电容（Ciss）：235pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23（SC-59）

特性

3LP02C-TL-E采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构能够有效降低单位面积下的导通电阻，从而提升整体能效。其核心优势在于低RDS(on)，即使在较低的栅极驱动电压下也能保持出色的导通性能，例如在VGS = -2.5V时，RDS(on)仅为100mΩ，这使得它非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场合。器件的阈值电压范围为-0.6V至-1.2V，保证了在不同工作条件下的稳定开启与关断控制。
　　该MOSFET具备优异的开关特性，输入电容仅为235pF，在高频开关应用中可减少驱动损耗并提高系统效率。同时，较短的反向恢复时间（16ns）有助于减少体二极管反向恢复带来的能量损耗和电压尖峰，提升了电路的可靠性。SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备良好的散热能力，使器件能在高达150°C的结温下安全运行。
　　在可靠性方面，3LP02C-TL-E通过了严格的生产测试和质量认证，具备高抗噪能力和稳定的电气参数漂移特性。其-55°C到+150°C的宽工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的工业与消费类应用。此外，该器件具有低漏电流和高绝缘强度，确保在待机或关闭状态下几乎不消耗额外功率，有利于延长电池供电设备的续航时间。整体设计兼顾性能、尺寸与功耗，是现代低电压、高密度电源架构中的理想选择之一。

应用

3LP02C-TL-E常用于需要高效电源控制的小型化电子设备中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源开关和负载切换，如智能手机、蓝牙耳机、智能手表和其他可穿戴设备中的模块供电管理。它也广泛用于电池供电系统的反向极性保护电路，防止因电池安装错误导致的设备损坏。
　　在电源管理领域，该器件可用于线性稳压器（LDO）的旁路开关或DC-DC降压变换器中的同步整流部分，以提高转换效率。此外，还可作为热插拔电路中的控制开关，实现设备在不断电情况下的安全接入与断开。由于其快速响应特性和低静态功耗，也被用于各类传感器模块的电源门控，实现按需供电以节约能耗。
　　工业控制和通信设备中，3LP02C-TL-E可用于信号路径切换、多电源系统之间的选择开关以及嵌入式微控制器外围电路的电源管理。其SOT-23封装易于自动化贴装，适合大规模生产，因此在各类高集成度主板、电源板和接口模块中均有广泛应用。