时间:2025/12/27 8:02:25
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3FSH9R是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装高速开关整流二极管。该器件采用先进的平面技术制造,具有优异的开关性能和可靠性,适用于高频开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及其他需要快速恢复特性的电路中。3FSH9R属于超快恢复整流二极管类别,其设计重点在于降低反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr),从而减少开关损耗并提升系统效率。该二极管封装在紧凑的SMA(DO-214AC)封装中,适合自动化贴片生产,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。器件符合RoHS指令要求,并具备良好的热稳定性和机械强度,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
类型:超快恢复整流二极管
最大重复峰值反向电压(VRRM):900 V
最大直流阻断电压(VR):900 V
平均整流电流(IO):3.0 A
正向压降(VF):典型值1.55 V(在3A时)
最大浪涌电流(IFSM):50 A(单个半正弦波)
反向漏电流(IR):≤ 5 μA(在25°C时),高温下最大100 μA
反向恢复时间(trr):≤ 50 ns
工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围(Tstg):-55 °C 至 +150 °C
封装形式:SMA(DO-214AC)
安装方式:表面贴装(SMD)
3FSH9R的核心特性之一是其出色的反向恢复性能,反向恢复时间(trr)典型值低至50纳秒,这使其非常适合用于高频开关电源应用。在现代开关模式电源(SMPS)中,二极管的反向恢复行为直接影响到开关器件(如MOSFET或IGBT)的开关损耗和电磁干扰(EMI)水平。由于3FSH9R具有极短的trr和较低的反向恢复电荷(Qrr),它能有效减少开关过程中的能量损耗,从而提高整体电源效率并降低温升。此外,该特性还有助于减小输出端的电压尖峰,提高系统的可靠性和稳定性。
另一个关键特性是其高耐压能力。3FSH9R的最大重复反向电压达到900V,使其适用于高电压应用场景,例如离线式电源、PFC(功率因数校正)电路以及高压DC-DC转换器。即使在瞬态过压条件下,该器件也能提供可靠的阻断能力,防止电流倒流造成损坏。结合高达150°C的最大工作结温,3FSH9R可在恶劣的热环境中长期运行,适用于紧凑型高功率密度设计。
该器件采用SMA封装,具有较小的体积和良好的散热性能,便于在PCB上实现高密度布局。同时,SMA封装支持自动化贴片工艺,有利于大规模生产,提升制造效率和一致性。此外,3FSH9R通过了严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保其在各种严苛条件下的长期稳定性。其低正向导通压降(约1.55V @ 3A)也有助于减少导通损耗,进一步优化能效表现。总的来说,3FSH9R是一款兼顾高性能、高可靠性和良好工艺兼容性的超快恢复二极管,适用于对效率和稳定性要求较高的电力电子系统。
3FSH9R广泛应用于各类需要高效整流和快速开关响应的电子设备中。一个主要应用领域是开关模式电源(SMPS),尤其是在AC-DC适配器、充电器和开放式电源中,作为输出整流或续流二极管使用。由于其900V的高反向耐压和3A的平均整流电流能力,它适用于多种通用输入电压范围(85–265V AC)的电源设计。
在功率因数校正(PFC)电路中,3FSH9R常被用作升压二极管,在连续导通模式(CCM)或临界导通模式(CrM)下工作。其快速恢复特性可显著降低与主开关管相关的开关损耗,并抑制电压振荡,从而提高PFC级的整体效率和电磁兼容性(EMC)表现。
此外,该器件也适用于逆变器电路,如太阳能逆变器或UPS系统中的辅助电源部分,用于直流母线电压的整流与隔离。在DC-DC转换器中,特别是在反激式(Flyback)或正激式(Forward)拓扑中,3FSH9R可用作次级侧整流元件,确保能量高效传递。
其他典型应用还包括LED驱动电源、工业控制电源模块、电信设备电源单元以及家用电器中的内置电源。由于其表面贴装封装形式,特别适合空间受限但需要较高功率处理能力的设计场景。同时,其符合RoHS标准的环保特性也使其适用于出口型电子产品和绿色能源项目。
MUR390, ES3D, FES3J, STTH3R06, BSR3-090