3EZ5.6D5是一种双二极管芯片,广泛应用于射频和微波电路中。它具有低电容、高反向电压以及快速响应的特点,适用于高频开关、检波器、混频器以及其他需要高性能二极管的场景。
该芯片属于肖特基二极管系列,其设计使其在高频和高速应用中表现出色,同时保持较低的正向压降。
型号:3EZ5.6D5
类型:双肖特基二极管
正向电压(Vf):0.25V(典型值,If=10mA)
反向击穿电压(Vr):40V
最大正向电流(If):200mA
反向漏电流(Ir):1uA(典型值,25℃)
结电容(Cj):0.4pF(典型值,1MHz)
工作温度范围:-55℃至+150℃
3EZ5.6D5采用了先进的制造工艺,确保其具备以下优异性能:
1. 极低的正向电压降,减少功耗并提高效率。
2. 高速开关能力,适合高频和微波应用。
3. 小型化封装设计,便于在有限空间内集成。
4. 低结电容,降低信号失真。
5. 稳定的电气性能,在宽温范围内表现一致。
这些特点使3EZ5.6D5成为许多现代通信设备的理想选择。
3EZ5.6D5主要应用于以下领域:
1. 射频和微波电路中的检波和混频。
2. 高频开关电源和转换器。
3. 雷达系统和卫星通信设备。
4. 无线通信模块中的信号处理。
5. 工业自动化设备中的高频控制电路。
由于其优越的性能,这款芯片被广泛采用以满足各种复杂应用场景BA4817,
MAT1B,
1SS306