时间：2025/7/10 8:58:45
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G2N7002是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器以及负载开关等场景。该器件采用TO-252封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合中低电压应用场合。
该MOSFET在设计上优化了栅极电荷特性，从而降低了开关损耗，并且具备出色的热稳定性和可靠性，能够满足严苛工作环境下的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：7A
导通电阻：40mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃至150℃
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频开关应用。
3. 较小的封装尺寸，便于PCB布局与散热管理。
4. 内置ESD保护电路，提高系统可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 稳定性高，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流及主开关管。
2. DC-DC转换器中的降压或升压拓扑开关元件。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. LED驱动器中的功率控制元件。
5. 各类消费电子设备中的功率调节模块。
IRF7402, AO3402, FDN340P
