时间：2025/6/3 13:05:48
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3EZ170D5是一种高频、高速的硅双极型晶体管（BJT），广泛应用于射频（RF）放大器和混频器电路中。该晶体管具有高增益带宽积（fT）、低噪声特性和出色的线性度，适合于无线通信设备中的中功率射频信号放大。其设计优化了高频应用环境下的性能表现。
3EZ170D5采用了先进的制造工艺以确保在高频段下仍然保持较高的增益和稳定性，同时它的封装形式能够有效减少寄生电容和电感的影响，从而提升整体效率。
最大集电极电流：250mA
最大集电极-发射极电压：45V
最大集电极-基极电压：50V
最大耗散功率：450mW
增益带宽积（fT）：2.5GHz
特征频率（fMAX）：3GHz
直流电流增益（hFE）：80～200
噪声系数：1dB（典型值）
工作温度范围：-55℃～+150℃
3EZ170D5具备卓越的高频性能，其增益带宽积高达2.5GHz，非常适合用于高频信号处理领域。此外，该晶体管的低噪声特性使得它成为射频前端放大器的理想选择。其能够在较宽的工作温度范围内稳定运行，并且具有良好的线性度和抗干扰能力。
该器件的封装形式经过特殊设计，可以最大限度地降低寄生效应，这对于高频应用至关重要。另外，3EZ170D5还表现出较低的热阻特性，有助于提高长时间工作的可靠性。
3EZ170D5主要应用于以下领域：
1. 射频放大器
2. 混频器
3. 调制解调器
4. 无线通信设备
5. 高频信号发生器
6. 测试测量仪器
由于其优秀的高频特性和低噪声性能，该晶体管特别适合需要高精度和高性能的射频系统设计。
MATSUSHITA PTF170D5, ON Semiconductor MRF471
