3DA4793 时间：2025/8/17 4:16:32 阅读：5

3DA4793是一款N沟道功率MOSFET，通常用于高电压、高电流应用中，具备良好的导通特性和快速开关性能。这款器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及各类工业和消费类电子产品中。3DA4793采用了高密度沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）特性，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　最大漏极电流（Id）：110A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值，具体取决于Vgs）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

特性

3DA4793的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高能效。该器件还具有较高的电流承载能力，额定漏极电流可达110A，适合高功率密度应用。
　　此外，3DA4793采用了先进的沟槽式工艺，优化了开关性能，使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗。其封装形式为TO-263（D2PAK），便于安装在PCB上并具有良好的散热性能。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在严苛的环境条件下稳定运行。栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电路，兼容多种控制方案。

应用

3DA4793因其高电流能力、低导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于多种电力电子系统中。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及服务器、台式机和笔记本电脑的电源供应单元。
　　在汽车电子领域，3DA4793也可用于车载充电器、电动工具、LED照明驱动和各类功率控制模块。其高可靠性和宽温度范围也使其适用于工业自动化设备、UPS不间断电源和光伏逆变系统等对性能要求较高的场景。