类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：500mA
　　最大功耗（PD）：1.5W
　　频率范围：100MHz - 1GHz
　　增益（hFE）：最小 30（典型值可达 60）
　　封装形式：TO-39
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

3D3521G 拥有出色的高频性能，适用于 100MHz 至 1GHz 的射频放大器设计。其 NPN 结构提供了良好的增益线性度，使得该器件在射频信号放大应用中表现出色。该晶体管的封装形式为 TO-39，具有良好的散热性能和机械稳定性，能够在较高温度下稳定工作。
　　此外，3D3521G 的最大集电极-发射极电压为 30V，最大集电极电流为 500mA，具备较高的耐压和电流承受能力，适用于中等功率的射频放大和高频开关电路。其 hFE 值在典型条件下可达 60，确保了良好的信号放大能力。
　　该晶体管还具有较低的噪声系数，适合用于低噪声放大器（LNA）设计，提高接收系统的信号灵敏度。在军事和通信设备中，3D3521G 被广泛用于射频功率放大和调制电路中，具有高可靠性和稳定性。

3D3521G 主要应用于射频和高频电路设计，包括无线通信设备、射频放大器、低噪声放大器（LNA）、射频开关、调制解调器以及测试和测量设备。此外，该晶体管也广泛用于工业控制系统、军事雷达和高频信号发生器等领域。
　　在通信设备中，3D3521G 常用于射频前端的信号放大和处理，提高信号的传输距离和接收灵敏度。在测试仪器中，它可用于构建高频放大模块，增强信号的稳定性和准确性。由于其优异的高频特性和可靠性，该晶体管也被广泛应用于航空航天和国防领域的高频电子系统中。

2N3521, 2N3521G, 2N3866