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HUF76609D3 发布时间 时间:2025/7/4 4:16:47 查看 阅读:8

HUF76609D3是一款高压MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高耐压的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态,适用于多种需要高效功率转换的场景。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:9A
  栅源电压:±20V
  导通电阻:0.45Ω
  总功耗:160W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

HUF76609D3具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力(650V),能够在恶劣环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻(0.45Ω),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
  3. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  4. 强大的浪涌电流承受能力,增强了器件的鲁棒性。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

HUF76609D3广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
  3. 各类DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
  4. 逆变器和太阳能微逆变器中的功率管理部件。
  5. 用于过流保护和负载开关的电子保险丝。

替代型号

IRFZ44N
  STP90NF06
  FQP18N65C
  IXYS9N65C

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HUF76609D3参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列UltraFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds425pF @ 25V
  • 功率 - 最大49W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装TO-251AA
  • 包装管件