HUF76609D3是一款高压MOSFET晶体管,主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用TO-220封装形式,具有低导通电阻和高耐压的特点,能够有效提升系统的效率和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件,通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态,适用于多种需要高效功率转换的场景。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:9A
栅源电压:±20V
导通电阻:0.45Ω
总功耗:160W
工作温度范围:-55℃ to +150℃
HUF76609D3具备以下显著特性:
1. 高耐压能力(650V),能够在恶劣环境下稳定运行。
2. 低导通电阻(0.45Ω),有助于降低功率损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度,适合高频应用场合。
4. 强大的浪涌电流承受能力,增强了器件的鲁棒性。
5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
HUF76609D3广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率控制元件。
3. 各类DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
4. 逆变器和太阳能微逆变器中的功率管理部件。
5. 用于过流保护和负载开关的电子保险丝。
IRFZ44N
STP90NF06
FQP18N65C
IXYS9N65C