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3CCM756-100-V 发布时间 时间:2025/12/27 18:07:38 查看 阅读:20

3CCM756-100-V 是一款由 C & S 公司生产的高功率碳化硅(SiC)肖特基二极管,专为高性能电源转换系统设计。该器件采用先进的碳化硅半导体技术,具备出色的热性能、高频工作能力和低开关损耗,适用于高温、高电压和高效率要求的应用场景。其封装形式为模块式,便于集成在大功率逆变器、工业电源和可再生能源系统中。该型号中的‘3C’通常代表三芯片结构,‘CM’表示模块封装,‘756’为系列编号,‘100’指额定电压等级(1200V),而‘V’可能表示特定的版本或电气特性优化。这款二极管广泛用于电动汽车、牵引系统和不间断电源(UPS)等关键电力电子设备中,能够显著提升系统整体效率并降低散热需求。

参数

类型:碳化硅肖特基二极管
  封装形式:模块
  额定电压:1200 V
  额定电流:75 A
  峰值反向电压:1200 V
  正向电压降:1.7 V(典型值,IF = 75A)
  最大工作温度:+175 °C
  热阻Rth(j-c):0.35 K/W
  安装扭矩:1.0 Nm
  绝缘类型:陶瓷绝缘基板
  引脚数:3

特性

3CCM756-100-V 的核心优势在于其采用碳化硅材料制造的P-N结结构,这种材料相较于传统的硅基二极管具有更高的禁带宽度(约3.2eV),从而显著降低了反向漏电流,并能在更高温度下稳定运行。该器件没有少数载流子存储效应,因此不存在反向恢复电荷问题,极大减少了开关过程中的能量损耗,特别适合高频开关应用。其正向导通压降维持在较低水平(典型1.7V),即使在满载电流下也能保持较高的能效。此外,由于碳化硅的热导率远高于硅,该器件能够有效传导热量,结合模块底部的绝缘陶瓷基板设计,实现了优异的热管理性能,支持紧凑型散热器设计。
  该模块内部集成了三个并联的二极管芯片(三芯片结构),不仅提高了电流承载能力,还增强了均流性和可靠性。其端子布局经过优化,降低了寄生电感,有助于减少电压尖峰和电磁干扰(EMI)。器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代自动化生产线。机械结构坚固,抗热循环能力强,在-40°C至+175°C的宽温度范围内均可稳定工作,适用于严苛工业环境。此外,该器件具备良好的短时过载能力,能够在瞬态工况下提供额外的安全裕度。通过合理匹配栅驱动电路与母线设计,可在光伏逆变器、电机驱动器和DC-DC变换器中实现超过98%的系统效率。

应用

该器件主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。典型使用场景包括太阳能光伏逆变器中的续流二极管或升压二极管,用于提高直流侧转换效率;在电动汽车车载充电机(OBC)和主驱逆变器中作为辅助整流元件,帮助实现轻量化和高功率密度设计;在风力发电变流器中承担能量回馈功能,提升电网兼容性。此外,它也被广泛用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、高压DC-DC转换器以及铁路牵引系统等对长期运行稳定性和耐温性能有极高要求的领域。得益于其低损耗和高结温特性,系统可以减小散热器体积,甚至实现自然冷却方案,从而降低整体系统成本和复杂度。在数据中心电源和5G基站供电系统中,该器件也有潜在应用价值,特别是在追求绿色节能和高可用性的场合。

替代型号

CMF75120D, SDM75H12T, DSH75-12A

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