型号：39VF010-90-4C-WH
　　制造商：STMicroelectronics
　　存储容量：1 Mbit (128 KB)
　　组织结构：131,072 x 8 bits
　　供电电压：2.7V 至 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin TSOP Type II
　　接口类型：并行异步
　　编程电压：单电源3V
　　擦除方式：扇区/整片电擦除
　　写入周期时间：典型值70μs（页编程）
　　耐久性：100,000次编程/擦除周期
　　数据保持时间：超过100年
　　待机电流：典型值100 μA
　　工作电流：典型值15 mA（读模式）

39VF010-90-4C-WH具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域具有广泛应用基础。首先，该芯片采用单电源供电设计，仅需2.7V至3.6V的Vcc电压即可完成读取、编程和擦除操作，无需额外的高压编程电源，极大简化了系统电源设计，降低了整体成本与复杂度。其次，其内置的命令寄存器允许通过标准的写入指令序列来控制芯片的操作模式，包括自动编程和自动擦除功能，用户可通过向特定地址写入特定命令代码来启动写入或擦除流程，整个过程由片上状态机自动管理，显著减轻了主控处理器的负担。
　　该器件支持扇区擦除和整片擦除两种模式，其中扇区大小通常为4KB或32KB，允许用户选择性地更新部分存储内容而不影响其他区域数据，提升了灵活性和效率。此外，芯片集成了写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护（如将WE#、CE#或RESET#引脚拉高等），有效防止因误操作或系统异常导致的关键数据丢失。状态轮询机制允许主机通过读取特定地址的状态位来判断当前操作是否完成，提高了系统的响应性和可靠性。
　　在可靠性方面，39VF010的设计确保了高达10万次的编程/擦除寿命以及超过100年的数据保持能力，满足工业级应用的长期稳定性需求。其90ns的快速访问时间使其适用于需要较快启动速度或频繁读取代码的嵌入式系统。同时，该芯片具备低功耗特性，在待机模式下电流消耗仅为100μA左右，有助于延长电池供电设备的工作时间。兼容JEDEC标准的引脚排列和时序规范，便于与其他微控制器、DSP或FPGA无缝对接，提升系统集成度。最后，该器件通过了严格的ESD防护和闩锁免疫测试，增强了在恶劣环境下的运行稳定性。

39VF010-90-4C-WH主要应用于需要中等容量、高可靠性和低成本非易失性存储的嵌入式系统中。一个典型应用场景是作为微控制器单元（MCU）或数字信号处理器（DSP）的外部程序存储器，用于存放启动代码、固件映像或操作系统引导程序。例如，在老式PC主板中，该类Flash常被用作BIOS芯片，存储开机自检（POST）程序和系统配置信息，支持通过刷新工具进行BIOS升级。在工业控制领域，它可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备中存储控制逻辑和用户界面资源。
　　通信设备如路由器、交换机、调制解调器也广泛采用此类并行Flash来保存设备配置文件、协议栈代码或诊断程序，确保断电后设置不丢失。消费类电子产品如打印机、机顶盒、智能家电等利用该芯片存储应用程序代码和本地化语言包。由于其具备工业级温度适应能力，该器件还适用于户外监控设备、车载电子模块和远程终端单元（RTU）等严苛环境下的应用。
　　此外，在开发与调试阶段，工程师常使用该芯片进行原型验证，因其支持多次擦写，便于反复烧录测试代码。尽管近年来串行SPI Flash因引脚少、成本低而逐渐取代并行Flash在许多新设计中的地位，但39VF010仍因其成熟稳定、驱动简单而在一些传统架构或对读取性能有要求的系统中继续服役。教育实验平台和教学开发板也常配备此类芯片，帮助学生理解存储器操作机制与嵌入式系统架构。

M29F002BT-90,M29F002BB-90,AM29LV001B-90JC,E28F008SA-90