类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：180A
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：16mΩ（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　功率耗散（PD）：350W

35YXG1200M18X16 具有一系列显著的特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为16mΩ，可以显著减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件的高漏源电压（VDS）为1200V，使其适用于高压系统，如太阳能逆变器和工业电源。此外，该MOSFET的最大漏极电流高达180A，能够处理大电流负载，适合用于高功率密度设计。该器件采用TO-247封装，具有良好的热管理和散热能力，确保在高负载条件下的稳定运行。同时，其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其能够在极端环境条件下可靠工作。此外，该MOSFET的栅源电压为±20V，提供了更高的栅极驱动灵活性，同时具备良好的短路耐受能力，增强了系统的鲁棒性。最后，该器件符合RoHS标准，符合环保要求，适合现代绿色电子产品设计。
　　在性能方面，35YXG1200M18X16 还具有快速开关特性，降低了开关损耗，并提高了整体系统的效率。其内部结构优化设计减少了寄生电感和电容，从而降低了开关过程中的电压和电流尖峰，提升了器件的可靠性。此外，该MOSFET具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在突发的高电压或高电流条件下保持稳定，避免器件损坏。这些特性使得35YXG1200M18X16 成为工业电源、电机驱动、可再生能源系统和电动汽车充电设备等高压高功率应用的理想选择。

35YXG1200M18X16 MOSFET 主要应用于高压和高功率电子系统中。常见的应用包括工业电源、不间断电源（UPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源供应器、太阳能逆变器、电机控制电路、电池管理系统以及电动汽车的充电设备。在这些应用中，该器件能够高效地进行高电压和大电流的开关操作，从而提高系统的整体效率和稳定性。由于其优异的热性能和高可靠性，它也适用于需要长时间连续运行的工业设备。此外，该器件还广泛用于需要高功率密度和高效率的电力电子系统中，如储能系统和智能电网设备。

SiC MOSFET (如C3M0060065J、C2M0080120D)、IXYS IXFH180N120、Infineon IPP180N120R3