类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：80V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：120A（Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（Ptot）：200W（Tc=25°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK? 8x8

35USC8200M25X30 MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，使得其导通电阻非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的低RDS(on)值为2.5mΩ，使其在高电流应用中表现出色，减少了功率损耗和发热。此外，该MOSFET具备高电流承载能力和优异的热稳定性，使其在高温环境下依然保持良好的性能。
　　该MOSFET的封装形式为PowerPAK? 8x8，这种封装提供了良好的散热性能，有助于快速将热量从芯片传导出去，从而提高器件的可靠性和使用寿命。其设计优化了电流路径，减少了封装内部的寄生电感，提高了开关性能，适用于高频开关应用。
　　35USC8200M25X30具备较强的雪崩能量承受能力，能够在突发短路或过压情况下提供一定的保护能力，增强了系统的稳定性与安全性。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的要求。

35USC8200M25X30 MOSFET广泛应用于各类高功率电子设备中，例如DC-DC转换器、同步整流器、电源管理系统、电机控制器、负载开关以及工业自动化设备。其低导通电阻和高电流承载能力使其特别适合用于高效率电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、电动车驱动系统和电池管理系统（BMS）等。
　　在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、车载逆变器以及电池管理系统。在工业应用中，它可以用于工业电机驱动、自动化控制系统和高功率LED照明驱动电路。

SiS8200DN、IRLR8256、IPB082N08N3 G、FDMS8200Z、FDS8200A