时间：2025/9/8 18:15:52
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35SLV10M5X6.1 是一款由 Micron Technology 生产的串行 NOR 闪存芯片。这款存储器专为高性能和低功耗应用设计，广泛用于嵌入式系统、工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。其主要特点包括高密度存储、快速读取速度以及灵活的擦写特性。该芯片采用小型封装设计，适用于空间受限的设备，并提供高可靠性和长期数据保存能力。
类型：串行 NOR Flash
容量：10Mb
电压范围：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
最大时钟频率：80MHz
读取速度：最大80MHz
擦除时间：典型值 50ms
编程时间：典型值 1.3ms
封装类型：5x6mm WLCSP（晶圆级芯片封装）
35SLV10M5X6.1 闪存芯片具备多种先进的技术特性，使其适用于各种高性能嵌入式应用场景。其SPI接口支持高速数据传输，确保系统响应迅速。此外，该芯片支持多种读写模式，包括单线、双线和四线模式，提供灵活的通信选项。低功耗设计使其适用于电池供电设备，同时具备高耐用性，支持多达10万次擦写周期。该芯片还集成了硬件和软件写保护功能，防止误操作和数据损坏，提高系统稳定性。在数据保存方面，35SLV10M5X6.1 可确保数据在20年内不丢失，适用于长期存储关键信息。其小型WLCSP封装不仅节省空间，还简化了PCB设计，提高了制造效率。
35SLV10M5X6.1 串行 NOR Flash 广泛应用于多个领域，包括工业自动化设备、车载电子系统（如仪表盘和ADAS）、消费类电子产品（如智能手机和穿戴设备）、医疗设备以及通信基础设施。在这些应用中，该芯片常用于存储启动代码（Bootloader）、固件、操作系统镜像以及关键数据，为系统提供可靠的数据存储解决方案。
35SLV10M5X6.1 的替代型号包括 Spansion S25FL116K、Winbond W25Q80BV 以及 ISSI IS25LQ010A。这些型号在容量、封装尺寸、接口类型和工作温度范围方面具有相似的性能指标，可以作为替代选项用于兼容设计。
