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35MXC27000M35X50 发布时间 时间:2025/12/28 16:53:52 查看 阅读:40

35MXC27000M35X50 是一款由Micron Technology公司制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款存储器芯片适用于需要高速数据访问和高存储密度的应用场景,广泛用于计算机系统、工业设备、网络设备以及其他嵌入式系统中。

参数

类型:DRAM
  容量:27000M(具体容量需要根据数据手册确认,可能为256Mb或类似容量)
  封装类型:根据后缀X50,推测为BGA封装
  电压:1.8V或2.5V(依据具体规格)
  接口:并行接口
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)或商业级(0°C至70°C)
  时钟频率:高速时钟频率,具体值依据规格书

特性

高性能DRAM存储器
  高存储密度,适用于需要大容量内存的应用
  高速数据访问能力,适合需要实时处理的应用
  低功耗设计,适合嵌入式和便携式设备
  宽工作温度范围,适合工业环境
  支持自动刷新和自刷新模式,确保数据稳定性
  支持突发模式访问,提高数据吞吐量
  兼容JEDEC标准,便于集成和替换

应用

计算机系统中的主存储器
  工业控制系统的高速缓存
  网络设备中的缓冲存储器
  消费类电子产品中的内存扩展
  嵌入式系统中的主存或缓存
  通信设备中的临时数据存储
  测试设备和测量仪器中的数据缓存

替代型号

IS42S16400J-6T(ISSI)
  MT48LC16M2A2B4-6A(Micron)
  HY57V641620FTP6-H(Hynix)

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