时间：2025/7/19 3:23:28
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IXFN32N100P是一款由Littelfuse（原IXYS公司）生产的高功率N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。这款MOSFET具有高电压、大电流和低导通电阻的特性，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和逆变器等应用。其封装形式为TO-247，便于散热并适用于高功率环境。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：32A
最大漏-源电压：100V
导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
栅极电荷：约60nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXFN32N100P具有多项出色的电气和物理特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件能够承受高达100V的漏-源电压，并支持高达32A的连续漏极电流，使其适用于中高功率应用。此外，TO-247封装设计有助于有效散热，确保在高温环境下仍能稳定运行。该MOSFET的栅极电荷较低，有助于加快开关速度，从而降低开关损耗。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）使得该器件能够在各种严苛环境中可靠运行。最后，IXFN32N100P采用了先进的沟槽式MOSFET技术，确保了优异的开关性能和热稳定性。
IXFN32N100P广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动和控制电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化系统。由于其高效率和高可靠性，该器件也非常适合用于电动汽车充电设备、太阳能逆变器以及储能系统中的功率转换模块。
IXFH32N100P, IXFN30N100P, IRFP4668, APTT32N100B
