容量：64MB
　　类型：LPDRAM（低功耗动态随机存取存储器）
　　组织结构：16M x 4 x 4 Banks
　　电压：2.3V - 3.6V
　　接口类型：异步
　　封装：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　频率：最大访问时间 5.4ns
　　封装尺寸：54-TSOP

35LSW68000M36X118 是一款高性能、低功耗的DRAM芯片，具备多种先进的特性以满足便携式设备对功耗和性能的双重需求。首先，该芯片支持低电压操作范围（2.3V至3.6V），能够适应多种电源管理方案，从而有效降低整体功耗。其次，其异步接口设计允许灵活的时序控制，适用于各种嵌入式系统和非同步主控器架构。此外，该芯片采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合高密度PCB布局。
　　这款DRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，可在恶劣环境下稳定运行。其5.4ns的最大访问时间提供了较高的数据吞取速度，能够满足需要快速数据处理的应用场景。另外，该芯片的16M x 4 x 4 Banks组织结构使其具备良好的扩展性，适用于需要多bank操作的系统架构。Micron在DRAM制造方面的技术积累确保了该芯片的高可靠性和长使用寿命，适合用于高端嵌入式设备和工业控制系统。

35LSW68000M36X118 主要用于需要低功耗、高性能存储的便携式电子产品中。典型应用包括智能手机、平板电脑、GPS设备、手持终端、嵌入式控制系统以及各种移动计算设备。由于其优异的性能和工业级工作温度范围，该芯片也广泛应用于工业自动化、车载电子系统和通信设备中。在这些应用场景中，它能够提供稳定、高效的内存支持，确保设备在高负载下依然保持良好的运行表现。

IS42S16400J-6T、CY7C1370B-5A、ISSI IS48C16M16A2B4-6A