时间：2025/8/8 23:13:09
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2SK3987-01L是一款由东芝公司生产的N沟道MOSFET，广泛用于高频开关和功率放大电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高频响应的特性，适用于需要高效能和高稳定性的电子设备。该器件采用小型封装设计，使其适用于空间受限的应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：30V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：500mA
导通电阻(Rds(on))：最大2.8Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-323
2SK3987-01L具有多项优异特性，使其在高频开关和功率放大应用中表现出色。其低导通电阻确保了在导通状态下的能量损耗最小，从而提高了系统的效率。同时，该MOSFET具备较高的栅极绝缘性能，保证了在高频工作下的稳定性和可靠性。
此外，2SK3987-01L采用SOT-323的小型封装形式，节省了电路板空间，适用于紧凑型电子设备。该器件的高耐压能力使其能够在较高电压环境下安全运行，增强了系统的稳定性。
该MOSFET还具有快速开关能力，适合用于高频变换器和DC-DC转换器等应用。其良好的热稳定性也使得器件在高温环境下仍能保持正常工作。
2SK3987-01L广泛应用于便携式电子产品、无线通信设备、高频放大器、DC-DC转换器以及电池管理系统。它也适用于低功耗开关电路、逻辑驱动电路以及各类高频开关电源设计。
2SK3987-01L的替代型号包括2SK3018和2SK2992，这些型号在性能和封装上具有相似的特性，可根据具体需求进行选型替换。
