制造商：Vishay Semiconductor
　　产品系列：351035
　　器件类型：高速光耦合器
　　通道数：1通道
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600% @ IF = 10mA, VCE = 5V
　　最大数据速率：1 MBd
　　隔离电压：5000 VRMS
　　工作温度范围：-55°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +125°C
　　正向电压（VF）：典型值1.2V，最大值1.5V @ IF = 10mA
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤ 0.4V @ IC = 2mA, IF = 5mA
　　响应时间（上升/下降）：典型值3μs / 3μs
　　封装类型：6-DIP（宽体）
　　引脚数：6
　　绝缘材料：聚酰亚胺（Polyimide）
　　安全认证：UL, CSA, VDE, CQC 认证支持
　　CBO电压（集电极-基极电压）：70V
　　EBO电压（发射极-基极电压）：6V
　　功耗（PD）：200mW

351035GS具备出色的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000 VRMS，能够有效防止高压侧对低压控制电路的干扰或损坏，保障系统的安全性与稳定性。这种级别的隔离能力使其适用于多种严苛环境下的工业应用，如变频器、UPS不间断电源和医疗设备中的信号隔离。器件采用聚酰亚胺作为绝缘材料，具有优异的耐热性和介电强度，能够在高温和高湿环境下长期可靠运行，同时满足IEC/EN/DIN EN 60747-5-2等国际安全标准要求。
　　该光耦合器的电流传输比（CTR）范围宽泛，典型值在50%至600%之间，允许在不同驱动电流条件下灵活设计输入级电路，从而优化功耗与响应速度之间的平衡。高CTR意味着即使在较低的LED驱动电流下也能获得足够的输出信号幅度，有助于降低系统整体功耗，尤其适合电池供电或节能型设计的应用场景。此外，其集电极-发射极饱和电压低至0.4V，表明输出晶体管在导通状态下压降小，有利于提高信号逻辑电平的清晰度和抗噪能力。
　　响应时间方面，351035GS的典型上升和下降时间均为3微秒，支持最高1 MBd的数据传输速率，足以应对大多数中速数字信号隔离需求，例如PWM信号传输、状态反馈回路、串行通信接口隔离等。虽然它不属于超高速光耦（如10MBd以上级别），但在成本、性能和可靠性之间取得了良好平衡，是许多工业和消费类电子产品的理想选择。其6引脚DIP封装还提供了额外的引脚间距和爬电距离，增强了高压环境下的绝缘可靠性，并兼容自动插件机和波峰焊工艺，提升了生产效率。

351035GS广泛应用于需要电气隔离的各类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC输入/输出模块的信号隔离，将现场传感器或执行器的信号与中央控制器隔离开来，避免地环路干扰和高压窜入导致的系统故障。在开关电源设计中，该器件可用于反馈回路中的误差信号传输，实现初级侧与次级侧之间的隔离控制，提升电源的安全性和稳定性。此外，在电机驱动系统中，351035GS可用于隔离微控制器发出的PWM控制信号，确保功率桥路的驱动电路不受主控系统的电气噪声影响。
　　在通信接口中，351035GS可用于RS-232、RS-485等总线系统的信号隔离，防止远距离传输过程中引入的地电位差损坏通信芯片。在医疗电子设备中，由于对患者安全有严格要求，必须进行严格的电气隔离，351035GS可用于监测电路与主控单元之间的信号传递，满足医疗设备的安全规范。此外，该器件还可用于逆变器、太阳能发电系统、电动汽车充电控制系统以及测试测量仪器中的信号隔离环节，提供稳定可靠的光电隔离解决方案。凭借其宽工作温度范围和高可靠性，351035GS也适用于户外或恶劣环境下的嵌入式控制系统。

HCPL-3510

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