3417-6000是一款高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该型号采用了先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,能够在高频应用中提供卓越的效率和可靠性。
这款MOSFET通常为N沟道增强型场效应晶体管,适用于高压和大电流环境下的电子电路设计。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:600V
最大栅源电压Vgs:±20V
最大漏极电流Id:7A
导通电阻Rds(on):2.8Ω(典型值,Vgs=10V)
功耗Pd:250W(在结温为25℃时)
工作温度范围:-55℃至+150℃
3417-6000具有以下关键特性:
1. 高耐压能力,适合高压应用场景。
2. 较低的导通电阻,减少了传导损耗并提高了系统效率。
3. 快速开关性能,支持高频操作,降低了开关损耗。
4. 优异的热稳定性,确保在高温环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业要求。
6. 小型化封装设计,节省PCB空间,便于集成到紧凑型设备中。
该型号适用于以下领域:
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心组件。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED驱动器中的高效开关元件。
6. 电池管理系统中的充放电保护电路。
IRF540N
FQP50N06L
STP70NF06