制造商：Vishay Semiconductors
　　产品类型：红外发射二极管
　　技术：GaN（氮化镓）
　　波长类型：峰值发射波长典型值850 nm 或 940 nm（具体以批次为准）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　正向电压（VF）：典型1.4 V @ 100 mA
　　反向电压（VR）：最大5 V
　　连续正向电流（IF）：最大100 mA
　　脉冲正向电流（IFP）：可达1 A（占空比限制）
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　视角（半强度角）：±30° 或 ±45°（依型号变体）
　　发光面积：约0.3 mm x 0.3 mm
　　封装尺寸：约1.6 mm x 1.6 mm x 0.8 mm

33FXR-RSM1-GAN-TB采用氮化镓（GaN）半导体材料作为发光核心，相较于传统的砷化镓（GaAs）技术，GaN基红外LED在光电转换效率、热稳定性和寿命方面表现出显著优势。GaN材料具有更高的带隙能量，使得器件能够在较低的驱动电流下实现更高的辐射功率输出，从而提升系统整体能效并降低功耗。该器件在850nm或940nm波段具有高度集中的光谱输出，光谱半高宽较窄，有助于减少背景光干扰，提高信噪比，特别适用于对光信号纯净度要求较高的光学传感系统。
　　该器件采用表面贴装微型封装，具有优异的机械强度和焊接可靠性，支持自动化贴片工艺，适用于大规模生产。封装结构经过优化设计，具备良好的散热路径，有效降低结温上升，延长使用寿命。其环氧树脂透镜不仅提供稳定的光学聚焦性能，还增强了对外部环境（如湿度、灰尘、化学腐蚀）的防护能力。此外，该LED具有快速响应时间（纳秒级），能够支持高频调制信号传输，适用于红外数据通信、脉冲编码遥控和飞行时间（ToF）测距等高速应用场景。
　　在可靠性方面，33FXR-RSM1-GAN-TB通过了严格的工业级测试认证，包括高温高湿反偏（H3TRB）、温度循环、可焊性测试等，确保在复杂工作环境下仍能保持稳定的光输出性能。其反向漏电流低，静电放电（ESD）耐受能力较强，进一步提升了系统安全性。由于其小型化和高性能特点，该器件非常适合集成于智能手机、可穿戴设备、智能家居传感器和工业自动化模块中，是现代红外光电器件的理想选择之一。

33FXR-RSM1-GAN-TB广泛应用于需要小型化、高效能红外光源的各种电子系统中。在消费电子领域，它被用于智能手机和平板电脑中的接近传感器与自动亮度调节系统，通过检测用户是否靠近屏幕来控制显示开关，从而节省电量并提升用户体验。在安防监控系统中，该红外LED常作为夜视摄像头的补光光源，在无可见光环境下提供隐蔽照明，配合CMOS图像传感器实现全天候视频监控。
　　在工业自动化领域，该器件可用于光电开关、物体检测、液位传感和编码器系统，利用红外光的反射或遮挡原理实现非接触式位置检测。在智能家居设备中，如智能门铃、扫地机器人和语音助手，该LED支持手势识别、人员存在检测和环境感知功能，提升人机交互智能化水平。
　　此外，该器件也适用于红外数据通信链路，例如IrDA协议短距离通信、无线耳机同步传输等场景。在生物传感应用中，结合特定波长的光吸收特性，可用于心率监测（PPG）、血氧饱和度测量等健康监测设备。由于其支持脉冲驱动模式，还可用于飞行时间（ToF）三维成像系统，实现距离测量与空间建模，广泛应用于AR/VR设备、机器人导航和智能照明控制系统中。

VSMB2953X01
　　IR333-A
　　SFH 4715AS
　　LD205U