类型：肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：32 V
　　平均整流电流（IO）：1.3 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30 A（8.3ms单半正弦波）
　　正向电压降（VF）：典型值0.55 V（在1A时，25°C）
　　最大反向漏电流（IR）：0.5 mA（在32V时，25°C）
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　热阻结到环境（RθJA）：约70 °C/W（依PCB布局而定）
　　低VF设计：优化导通损耗
　　无铅/符合RoHS：是

32JR132-1作为一款高性能的表面贴装肖特基势垒二极管，其核心优势体现在极低的正向导通压降与快速的开关响应能力上。该器件利用先进的硅半导体工艺制造，形成稳定的金属-半导体结结构，从而显著降低传统PN结二极管中存在的载流子存储效应，避免了较长的反向恢复时间问题。这种特性使得32JR132-1在高频开关电源应用中表现尤为出色，例如用于同步整流拓扑或DC-DC升压/降压转换器中，能够有效减少能量损耗，提高整体电源转换效率。
　　该二极管的最大重复反向电压为32V，额定平均整流电流为1.3A，能够在持续负载条件下稳定运行。同时，它支持高达30A的峰值浪涌电流，具备较强的瞬态过流承受能力，增强了系统的鲁棒性和抗干扰性能。在实际应用中，即使面对输入端突发的电压尖峰或负载突变情况，也能可靠地保护后级电路不受损坏。
　　SMA封装不仅提供了良好的散热路径，还便于自动化贴片生产，提升了大规模制造的良率和一致性。器件的反向恢复时间控制在15ns以内，这一指标远优于普通整流二极管，极大减少了开关过程中的交叉导通风险和电磁干扰（EMI）。此外，32JR132-1具有较低的反向漏电流，在高温工作环境下依然保持良好稳定性，确保长期运行的可靠性。
　　值得一提的是，该产品符合国际环保标准，采用无铅材料体系和绿色封装工艺，满足现代电子产品对环境友好性的要求。无论是消费类电子、工业控制模块还是车载信息娱乐系统，32JR132-1都能提供高效、可靠的单向导电解决方案。

32JR132-1主要应用于需要高效能、小体积和高频操作的电力电子系统中。典型用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在低压输出的AC-DC适配器和DC-DC转换器中用作输出整流二极管；在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元中，该器件可作为同步整流的辅助元件或电池充放电路径上的隔离二极管。此外，它也常用于逆变器电路、LED驱动电源、太阳能充电控制器以及各类嵌入式控制系统中的续流保护环节。
　　由于其具备优异的热稳定性和机械强度，32JR132-1同样适用于汽车电子领域，例如车载充电机（OBC）、车身控制模块（BCM）和辅助电源模块等场景。在这些环境中，元器件必须承受较大的温度波动和振动应力，而SMA封装结合坚固的内部结构设计使该二极管具备出色的耐久性。另外，在通信设备和网络基础设施中，该器件可用于隔离不同电源域或防止反向电流倒灌，保障系统安全运行。
　　对于追求小型化与高效率的设计工程师而言，32JR132-1是一个理想选择，尤其适合那些空间受限但对功耗敏感的应用场合。其快速响应特性和低损耗特性有助于实现更高的功率密度和更长的续航时间，广泛服务于消费电子、工业自动化、电信设备及新能源等多个行业领域。

MBR140, MBR140T1, RB156V-40, SS14, SB140, SR103