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32CTQ030STR 发布时间 时间:2025/12/26 20:53:58 查看 阅读:16

32CTQ030STR是一款高性能的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用先进的平面技术制造,适用于高频率开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及其他需要低正向压降和快速恢复特性的应用场合。该器件由ON Semiconductor(安森美)生产,属于超薄型表面贴装功率肖特基整流器系列,封装形式为DPAK(TO-252AA),适合自动化贴片组装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。32CTQ030STR的最大重复峰值反向电压(VRRM)为30V,最大平均整流电流可达32A,具有非常低的正向导通电压,在保证高效能的同时有效降低系统热损耗。其结构设计优化了热性能与电气性能之间的平衡,能够在较高环境温度下稳定工作,提升了系统的整体可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,不含铅等有害物质,支持绿色环保制造要求。由于其优异的电学特性与紧凑的封装尺寸,32CTQ030STR在空间受限但对功率密度要求较高的现代电子产品中表现出色。

参数

器件类型:肖特基二极管
  配置:单只
  最大重复峰值反向电压 VRRM:30V
  最大直流阻断电压 VR:30V
  最大平均整流电流 IO:32A
  峰值正向浪涌电流 IFSM:150A
  最大正向电压 VF:0.57V(典型值,IF = 32A, TJ = 125°C)
  最大反向漏电流 IR:0.5mA(TJ = 25°C)、10mA(TJ = 125°C)
  工作结温范围 TJ:-65°C 至 +175°C
  存储温度范围 TSTG:-65°C 至 +175°C
  封装/外壳:DPAK(TO-252AA)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

32CTQ030STR的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术,这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现了极低的正向导通压降和几乎无反向恢复时间的开关特性。这使得器件在高频开关环境中表现尤为出色,能够显著减少开关过程中的能量损耗,提高电源转换效率。在实际应用中,特别是在同步整流拓扑或低压大电流输出的DC-DC变换器中,低VF意味着更少的I2R损耗和更低的工作温升,有助于简化散热设计并提升系统功率密度。该器件在32A连续电流下的典型正向压降仅为0.57V左右(在高温条件下),远低于普通快恢复二极管或标准硅整流管,体现出卓越的导通性能。
  除了出色的电学性能,32CTQ030STR还具备良好的热管理能力。其DPAK封装底部带有暴露的导热焊盘,可通过PCB上的大面积铜箔实现高效的热量传导与散逸,确保长时间高负载运行时的稳定性。同时,器件拥有高达+175°C的最大结温,表明其可在严苛的高温环境下可靠工作,增强了在汽车电子、工业驱动等恶劣条件下的适用性。此外,该产品通过AEC-Q101车规级认证,适用于部分车载电源系统,体现了其在质量与可靠性方面的高标准。
  从制造角度看,32CTQ030STR采用无铅封装工艺,符合RoHS指令要求,并支持无卤素(Halogen-Free)选项,满足现代电子产品对环保材料的需求。其表面贴装形式便于自动化贴片机作业,提高了生产效率和焊接一致性,特别适合大规模批量生产场景。另外,该器件具有较低的寄生电感和电容,有利于抑制电磁干扰(EMI),进一步改善电源系统的电磁兼容性。总体而言,32CTQ030STR是一款集高效率、高可靠性与环保特性于一体的先进功率肖特基二极管,是现代高效能电源设计中的理想选择之一。

应用

32CTQ030STR主要应用于各类需要高效整流与低损耗特性的电源电路中。典型应用场景包括:高性能DC-DC降压或升压转换器,尤其是在服务器主板、笔记本电脑、路由器等设备的多相VRM(电压调节模块)中作为续流二极管使用;在离线式开关电源(SMPS)中用于次级侧整流,替代传统快恢复二极管以提升效率;也可用于电池充电管理系统、太阳能微型逆变器以及LED驱动电源等对能效敏感的设计中。此外,由于其高电流承载能力和良好的热稳定性,该器件也常被用于工业电机驱动器、UPS不间断电源及电信整流模块中。在汽车电子领域,虽然该型号未明确标注为完全车规级,但其通过AEC-Q101认证的部分版本可用于车载信息娱乐系统、DC-DC转换器或辅助电源单元中。其紧凑的DPAK封装使其非常适合空间受限的应用,例如超薄显示器电源板或便携式医疗设备内部电源模块。总而言之,凡是需要在30V以内、大电流条件下实现高效整流的场合,32CTQ030STR都是一种极具竞争力的解决方案。

替代型号

SBT4030LS3TLPBF

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