类型：功率MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：1000V
　　最大漏极电流（Id）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.15Ω（最大0.18Ω）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　功耗（Ptot）：150W
　　栅极电荷（Qg）：典型值85nC
　　短路耐受能力：5μs（最大）

315LSW1000M36X98具备多项先进特性，确保其在严苛环境下的稳定运行。其采用的超结（Super Junction）技术显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件具有出色的短路耐受能力，能够在极端条件下保持工作稳定性，防止因过流导致的器件损坏。
　　该MOSFET的TO-247封装设计提供了良好的热管理和机械强度，有助于快速散热，延长器件使用寿命。其高雪崩能量能力确保在突发电压冲击下仍能保持正常运行。此外，该器件的栅极驱动要求较低，适用于多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　值得一提的是，315LSW1000M36X98具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和逆变器系统。其低寄生电感结构进一步优化了开关性能，减少了电磁干扰（EMI），有助于实现更紧凑的电路设计。

该器件广泛应用于多个高功率领域，包括但不限于：工业电机驱动与变频器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、高功率电源适配器、LED照明系统以及不间断电源（UPS）系统等。在这些应用中，315LSW1000M36X98能够提供高效、可靠的功率转换与控制能力，满足高能效和高稳定性的需求。
　　特别是在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，该器件凭借其高效率和高可靠性，成为实现高效能量转换的重要组件。在电动汽车充电设备中，它支持快速充电与稳定输出，提高充电效率和系统安全性。此外，在工业自动化控制系统中，该器件可作为功率开关，用于控制大功率负载，如电机、加热元件等。

IXFH36N100P、STF35N10NM5、SiHP10N100E、FCH10N100A