类型：双通道共阴极肖特基二极管
　　封装/外壳：PowerPAK SO-8L
　　配置：双二极管（共阴极）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大直流反向电压（VR）：60V
　　平均整流电流（IO）：15A（每通道）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：100A
　　正向压降（VF）：典型值0.57V（在15A, TJ=25°C时）
　　最大正向压降（VF）：0.64V（在15A, TJ=25°C时）
　　反向漏电流（IR）：最大500μA（在60V, TJ=25°C时）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：典型值25°C/W
　　热阻（RθJL）：典型值1.8°C/W
　　热阻（RθJC）：典型值0.6°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：8
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

30WQ06FN的核心特性之一是其采用的先进沟道肖特基势垒技术，这种结构在确保低正向导通压降的同时，有效抑制了传统肖特基二极管常见的高漏电流问题。该器件在15A大电流下的典型正向压降仅为0.57V，在同类产品中表现出色，显著降低了导通损耗，提高了电源系统的整体能效。由于其低VF特性，特别适用于低压大电流输出的同步整流拓扑，例如在笔记本电脑、服务器和电信设备中的多相降压变换器中作为续流二极管使用。
　　另一个关键特性是其优异的热性能。PowerPAK SO-8L封装通过底部大面积铜焊盘将热量高效传导至PCB，其结到外壳的热阻（RθJC）低至0.6°C/W，远优于传统SO-8封装。这意味着即使在高负载条件下，器件也能保持较低的工作结温，延长使用寿命并提高系统可靠性。此外，该封装无引线设计减少了寄生电感，提升了高频开关性能，有利于减少电磁干扰（EMI）。
　　30WQ06FN还具备良好的瞬态响应能力，能够承受高达100A的非重复浪涌电流，增强了系统在启动或异常工况下的鲁棒性。其反向漏电流在室温下不超过500μA，在高温环境下也保持相对稳定，避免因漏电增加而导致效率下降。器件的共阴极配置简化了PCB布局，尤其适合用于双路输出或并联工作的电源架构。整体而言，该器件在效率、热管理和可靠性之间实现了良好平衡，是高性能电源设计中的理想选择。

30WQ06FN广泛应用于各类需要高效能量转换的电源系统中。最常见的应用场景包括同步整流型DC-DC转换器，尤其是在低电压、大电流输出的多相 buck 转换器中，用作续流二极管以替代MOSFET体二极管，从而降低导通损耗并提升效率。这类应用常见于中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）及ASIC等高性能计算芯片的供电模块（VRM）中。
　　此外，该器件也适用于便携式电子设备的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和移动基站设备中的辅助电源电路。在这些设备中，空间紧凑且散热条件有限，30WQ06FN的小尺寸封装与高效散热能力显得尤为重要。它还可用于电池充电管理系统中的反向电流隔离，防止电池反向放电损坏前端电路。
　　在工业控制和通信电源领域，30WQ06FN被用于隔离栅极驱动电路、电压钳位网络以及反极性保护电路。例如，在H桥或半桥拓扑中，它可以作为自举二极管使用，确保高端MOSFET的正常驱动。同时，其快速恢复特性使其能够在高频开关环境中可靠运行，减少开关节点的电压过冲和振荡现象。
　　由于其符合RoHS和无卤素要求，30WQ06FN也适用于对环保标准有严格要求的消费类电子产品出口市场。总体来看，该器件凭借其高电流承载能力、低正向压降和优良热性能，成为现代高密度、高效率电源设计中的关键元件之一。

SS36-SM-E3/5AT
　　MBR2060CT
　　SB160HE3/5AT
　　DSK26-M3/H
　　DSSK36-0060A