电容值：2200pF
　　容差：±20%
　　额定电压：10V
　　介质材料：C0G/NP0
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装尺寸：0603（1608 公制）
　　绝缘电阻：10,000 MΩ min
　　损耗因数（DF）：≤2.5%

MVE10VD222ML17TR具有出色的温度稳定性，能够在广泛的温度范围内保持电容值的稳定。其C0G/NP0介质材料提供了极低的电容随温度变化的系数，确保在各种工作条件下都能保持一致的性能。
　　该电容器具有低损耗特性，使其非常适合用于射频和微波电路中的滤波、匹配和耦合应用。此外，MVE10VD222ML17TR的多层结构设计提高了电容器的机械强度和热稳定性，从而增强了器件的可靠性。
　　由于其表面贴装封装设计，MVE10VD222ML17TR适用于自动贴片工艺，提高了生产效率和装配精度。此外，该器件符合RoHS标准，适合环保型电子产品制造。
　　在电气性能方面，MVE10VD222ML17TR具有较高的绝缘电阻和较低的漏电流，从而减少了电路中的功耗和噪声干扰。这种特性使其在低功耗和高精度电路中表现出色。

MVE10VD222ML17TR广泛应用于射频和无线通信设备，如基站、Wi-Fi模块、蓝牙模块和RFID读写器等。在这些应用中，该电容器用于滤波、信号耦合、阻抗匹配以及旁路功能，有助于提高信号完整性和系统稳定性。
　　此外，该器件也常用于精密模拟电路、振荡器电路和高频放大器中，作为关键的旁路或耦合元件，确保电路在高频下的稳定工作。
　　在工业控制和自动化系统中，MVE10VD222ML17TR可用于电源去耦和信号滤波，以减少噪声干扰并提高系统抗干扰能力。
　　由于其高可靠性和小型化设计，MVE10VD222ML17TR也适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于高频信号处理和电源管理。

VJ1206Y222KXACW1BC, GRM188R71H223KA01D, CL21A222MPQNNNE