型号：30TPSMC36A
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：36V
　　最大连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 10V）：12mΩ
　　导通电阻（RDS(on) max @ VGS = 4.5V）：17mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　输入电容（Ciss）：约2200pF @ VDS=18V
　　封装形式：TO-220

30TPSMC36A具备极低的导通电阻，这使得它在大电流应用中表现出色，显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统的能效。其RDS(on)在VGS=10V时仅为12mΩ，在同类产品中处于领先水平，这意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化热管理设计并提升系统可靠性。此外，该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（17mΩ），表明其对逻辑电平驱动信号有良好的兼容性，适用于由微控制器直接驱动的应用场合，如电池管理系统或便携式设备中的负载开关。
　　该MOSFET采用先进的沟槽栅结构，优化了载流子迁移路径，提升了跨导和开关速度。快速的开关响应减少了开关过程中的交越时间，从而降低了开关损耗，特别适合高频PWM控制环境，例如在同步降压变换器中作为下管使用。同时，器件内部寄生二极管具有较快的反向恢复特性，有助于减少反向恢复电荷（Qrr），避免因体二极管反向恢复引起的额外功耗和电磁干扰问题。
　　热稳定性方面，30TPSMC36A能够在高达+175°C的结温下安全运行，且其热阻（RθJC）较低，确保热量可以从芯片有效传导至散热器或PCB。这种高耐热能力使其适用于紧凑型高功率密度设计，即使在恶劣环境温度下也能维持稳定性能。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和湿度敏感度等级评估，确保长期使用的稳定性。
　　安全性方面，30TPSMC36A具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬间过压事件中吸收一定的能量而不损坏，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅极氧化层质量高，能承受±8kV HBM的静电放电（ESD）冲击，减少了生产装配过程中的失效风险。总体而言，这些特性使30TPSMC36A成为一款适用于严苛工业环境和高要求电源拓扑的理想选择。

30TPSMC36A广泛应用于各类需要高效功率切换的电子系统中。在DC-DC转换器领域，尤其是同步整流降压（Buck）拓扑中，该器件常作为低边开关使用，因其低RDS(on)和快速开关特性，可显著提高转换效率，减少发热，适用于服务器主板、显卡供电模块及笔记本电脑适配器等高性能电源设计。
　　在电机驱动应用中，30TPSMC36A可用于H桥电路中的功率开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转与调速。其高电流承载能力和良好的热性能保证了在持续负载下的稳定运行，适用于电动工具、家用电器和自动化设备中的驱动模块。
　　该器件也常见于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关，实现对锂电池组的安全管理和保护。其低导通电阻有助于减少电池内阻带来的压降，延长续航时间；同时支持高边或低边检测架构，便于集成保护电路。
　　此外，30TPSMC36A还可用于电源热插拔控制、LED驱动电源、太阳能逆变器中的辅助电源电路以及工业PLC的输出模块。其坚固的封装和宽泛的工作温度范围使其适应各种复杂环境，是现代电力电子系统中不可或缺的核心组件之一。

IRF3205
　　STP30N3LL
　　FDD3600