型号：30N06G-TN3-R
　　制造商：Alpha & Omega Semiconductor (AOS)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：60V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID) @25°C：30A
　　脉冲漏极电流(IDM)：120A
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=10V：约9.5mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @VGS=4.5V：约13mΩ
　　阈值电压(Vth)：典型值2.0V，范围1.5V~2.5V
　　输入电容(Ciss)：约2800pF @VDS=30V
　　输出电容(Coss)：约950pF
　　反向恢复时间(trr)：约25ns
　　二极管正向电压(VSD)：约1.2V
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：DFN5x6 (双侧冷却)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

30N06G-TN3-R采用先进的Trench沟道工艺技术，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为9.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为13mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，特别适用于大电流、高效率的电源设计。这种低RDS(on)特性使得该MOSFET在同步整流和DC-DC降压变换器中表现出色，能够有效减少发热并提升系统能效。
　　该器件具备优良的开关性能，其输入电容Ciss约为2800pF，输出电容Coss约为950pF，在高频开关应用中展现出快速的响应能力。同时，其反向恢复时间trr较短（约25ns），减少了体二极管在反向恢复过程中的能量损耗，从而降低了开关节点的电压尖峰和电磁干扰（EMI），有助于提升系统的稳定性和可靠性。此外，30N06G-TN3-R具有较低的栅极电荷（Qg），这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，可兼容常见的控制器和驱动IC，降低驱动设计复杂度。
　　30N06G-TN3-R的热性能优异，采用DFN5x6封装，底部带有裸露焊盘，支持双面散热，热阻RθJC（结到外壳）低至约1.2°C/W，有利于热量从器件内部高效传导至PCB，延长器件寿命并提高长期运行稳定性。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在恶劣温度环境下可靠工作，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下承受一定的能量冲击，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。其栅源电压额定值为±20V，提供了良好的过压保护裕量，防止因栅极驱动异常导致器件损坏。所有这些特性共同使30N06G-TN3-R成为高性能电源管理系统的理想选择。

30N06G-TN3-R广泛应用于各类需要高效、高电流开关能力的电源系统中。典型应用包括同步整流式DC-DC降压（Buck）转换器，尤其是在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相VRM（电压调节模块）中，作为下管或上管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率。
　　在电池供电系统中，如电动工具、便携式医疗设备和无人机电源管理单元中，该器件可用作负载开关或电池保护开关，实现低静态功耗和高响应速度。其高电流承载能力（30A连续电流）使其适合用于电机驱动电路，例如BLDC电机的H桥驱动或步进电机的相位控制，能够在高负载条件下保持低损耗运行。
　　此外，30N06G-TN3-R也适用于AC-DC电源的次级侧同步整流应用，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和发热，提高整体电源效率。在LED驱动电源、USB PD快充适配器以及工业电源模块中，该器件同样发挥着关键作用。
　　由于其小型化DFN封装和优良的散热设计，30N06G-TN3-R特别适合空间紧凑、散热条件有限的高密度PCB布局。在汽车电子领域，如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器和车身控制模块中，该器件也能满足AEC-Q101部分可靠性要求（需确认具体批次是否通过认证），适用于严苛的工作环境。

AOTF30N06L,AOZ6311AIC