时间：2025/7/29 18:19:53
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NRVTS8H120EMFST3G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款高性能功率MOSFET晶体管，采用先进的Trench沟槽技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于高效率功率转换应用。该器件采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和可靠性，适用于各种开关电源、电机控制、负载开关以及电池管理系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：120V
最大连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：最大37mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：22nC
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：60W
阈值电压（VGS(th)）：1.8V 至 3.0V
NRVTS8H120EMFST3G 采用先进的Trench沟槽MOSFET技术，提供非常低的导通电阻，从而降低导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻仅为37mΩ，在高电流应用中表现出色。该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关频率下的性能表现。
此外，该MOSFET具有高达8A的连续漏极电流能力，适用于中高功率负载应用。其TO-252封装提供了良好的散热性能，确保在高功率密度环境下稳定运行。该器件的工作温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
NRVTS8H120EMFST3G 还具备优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在开关过程中的可靠性。其栅极阈值电压范围为1.8V至3.0V，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制器和驱动IC。该器件内部还集成了快速恢复二极管，提高了反向恢复性能，适用于高频开关应用。
NRVTS8H120EMFST3G 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。在开关电源（SMPS）中，该器件可作为主开关管使用，提供高效能和高可靠性。其低导通电阻和快速开关特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路。
在电机控制应用中，NRVTS8H120EMFST3G 可用于H桥驱动电路，实现高效、紧凑的电机驱动系统。同时，其良好的热性能和高电流能力也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路。
此外，该MOSFET还广泛应用于工业自动化设备、LED照明驱动、电源适配器、消费类电子产品中的功率开关，以及汽车电子中的车载充电系统和车身控制模块。
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"NTD8H120CLT4G",
"IRF840",
"FQP8N120C",
"STP8NM120"
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