时间：2025/5/8 11:40:49
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30N03是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率电子电路中。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于高频开关应用。其封装形式通常为TO-220或DPAK，具体取决于制造商。
最大漏源电压：45V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：36A
导通电阻：1.8mΩ（典型值）
栅极电荷：11nC
输入电容：1370pF
开关时间：ton=9ns，toff=14ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
30N03的主要特点是低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。此外，该器件的高开关速度使其非常适合高频应用。其坚固的设计确保了在恶劣环境下的可靠运行，并且具有良好的热性能以支持高功率密度设计。
该MOSFET还具备较低的栅极电荷和输入电容，从而降低了驱动功耗。这些特点共同使得30N03成为许多高效功率转换和负载切换应用的理想选择。
30N03常用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机控制和驱动电路中的功率级开关。
3. 逆变器和DC-DC转换器中的高频开关。
4. 各种保护电路中的负载切换元件。
5. 汽车电子系统中的功率管理模块。
IRF3205
STP36NF06
FDP30N06L
