时间：2025/12/28 19:06:34
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30KPA288A 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和低导通电阻的应用中。该器件采用 TO-220 封装形式，具有良好的热性能和耐用性，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：30A
最大漏-源电压 (Vds)：288V
导通电阻 (Rds(on))：0.045Ω @ Vgs = 10V
栅极电压 (Vgs)：±20V
最大功耗 (Ptot)：125W
封装形式：TO-220
30KPA288A MOSFET 具有较低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高系统的整体效率。此外，其高耐压能力（288V）使其适用于高电压应用环境。该器件的封装设计（TO-220）提供了良好的散热性能，能够有效管理器件在高负载工作时产生的热量，延长使用寿命。同时，该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了电路设计和实现。此外，它还具备良好的短路和过热保护能力，在复杂的工作环境中保持稳定性和可靠性。
该器件的制造工艺确保了其在高温环境下仍能稳定工作，具有优异的热稳定性。30KPA288A 的开关特性也非常出色，具有快速的开关速度，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。这些特性使其成为工业电机控制、电源转换和负载开关应用中的理想选择。
30KPA288A 主要应用于需要高效率、高耐压和高可靠性的电子系统中。典型应用包括直流电机控制、电源管理系统、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）和电动汽车（EV）充电设备中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP30N28, STP30NF28
